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플라즈마 기상 화학 증착법을 이용한 탄소나노튜브의 선택적 수직성장 기술
방윤영, 장원석, Bang. Yun-Young, Chang. Won-Seok 한국정밀공학회 한국정밀공학회지 8 Pages
한국정밀공학회 한국정밀공학회지 2007, Vol.24 No.6 113-120 (8 pages)
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플라즈마 화학 기상 증착법을 이용한 탄소나노튜브의 성장 분석 및 전계방출 특성
오정근, 주병권, 김남수 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 7 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2003, Vol.16 No.12 1248-1254 (7 pages)
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플라즈마 화학 기상 증착법에서 DC bias가 인가된 탄소나노튜브의 수직성장과 전계방출 특성
정성회, 김광식, 장건익, 류호진 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2002, Vol.15 No.4 367-372 (6 pages)
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플라즈마 화학 기상 증착법으로 제작된 Diamond-Like Carbon 박막의 특성
김종탁 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 7 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 1998, Vol.11 No.6 465-471 (7 pages)
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플라즈마 보조 유기금속 화학기상 증착법에 의한 MCN(M=Ti, Hf) 코팅막의 저온성장과 그들의 특성연구
부진효, 허철호, 조용기, 윤주선, 한전건, Boo. Jin-Hyo, Heo. Cheol-Ho, Cho. Yong-Ki, Yoon. Joo-Sun, Han. Jeon-G. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 13 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2006, Vol.15 No.6 563-575 (13 pages)
DC 플라즈마 보조 유기금속 화학기상 증착법 (PEMOCVD)으로 합성하였다. 본 연구에서는 플라즈마 특성을 서로 비교하기 위하여 수소$(N_2)$와 헬륨/수소$(He/H_2)$ 혼합기체를 각각 운반기체로 사용하였으며 전구체 이외에 질소$(N_2)$와 암모니아$(NH_3)$ 기체를 반응기체로 사용하여 서로 다른 플라즈마 화학조건에서 얻어지는 박막내의 탄소함유량(C Content)의 변화를 비교하여 탄소가 가장 적게 함유된 저온 코팅막 합성공정을 찾으려고 하였다. 이를 위하여 증착시 서로 다른 pulsed bias 전압과 기체종류 하에서 여기된 플라즈마... -
마이크로파 플라즈마 화학기상증착법(PECVD)과 저압 화학기상증착법(LPCVD)을 이 용한 실리콘 기판 위에서의 텅스텐 박막증착
김성훈, 송세안, 김성근 한국진공학회 韓國眞空學會誌 9 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1992, Vol.1 No.2 277-285 (9 pages)
플라즈마 화학기상증착법과 저압 화학기상증착법을 사용하여 실리콘 기판 위에 텅 스텐 박막을 증착하였다. 반응기체로 WF6를 사용하였으며 환원기체로는 SiH4를 사용하였다. 플라즈마 증착법에 의한 텅스텐 박막의 성장은 환원기체의 유무에 상관없이 주로 기상 반응 에 의한 텅스텐 덩어리들의 증착에 의하여 이루어졌으며 비교적 균일도가 낮은 박막표면을 이루었다. 저압 화학증착법의 경우 환원기체를 사용하지 않았을 때에는 실리콘 기판에 의한 제한된 환원반응에 의해 텅스텐이 증착되었으나, 환원기체를 사용했을 때에는... -
플라즈마 화학기상 증착법에 의해 증착된 B이 첨가된 ZnO 박막의 전기적 특성
최준영, 조해석, 김영진, 이용의, 김형준 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1995, Vol.4 No.1 85-90 (6 pages)
본 연구에서는 투명 전극으로의 응용을 목적으로 PECVD법에 의해 증착된 B이 첨가된 ZnO 박막의 전기 및 광학적 특성을 살펴보았다. B을 첨가하지 않은 ZnO 박막은 비저항이 수 $Omega$-cm 정도의 값을 가지고 있었으며 시간에 따른 비저항의 변화가 컸으나, 2% B2H6을 5-16sccm의 유량범위에서 첨가한 경우에는 5-9X10-2 $Omega$-cm의 비저항을 가지고 시간 경과에 따른 비저항의 변화가 아주 작은 ZnO 박막을 얻을 수 있었다. Van der Pauw법에 의한 Hall 계수의 측정 결과에 의하면, B을 첨가하지 않은 ZnO 박막의 전자 농도는... -
플라즈마 화학기상 증착방식으로 성장시킨 비정질 실리콘 카바이드 박막의 열처리 효과에 관한 특성분석
박문기, 김용탁, 최원석, 윤대호, 홍병유 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2000, Vol.13 No.10 817-821 (5 pages)
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유도결합 플라즈마 화학기상증착법에 의해 활성화된 탄소원자를 이용한 Ni/SiO2/Si 기판에서 그래핀 성장
람반낭, 김의태, Nang. Lam Van, Kim. Eui-Tae 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2013, Vol.23 No.1 47-52 (6 pages)
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유도결합 플라즈마 화학기상증착법을 이용한 Ni/SiO2/Si 기판에서 그라핀 제조
박영수, 허훈회, 김의태, Park. Young-Soo, Huh. Hoon-Hoe, Kim. Eui-Tae 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2009, Vol.19 No.10 522-526 (5 pages)