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Plasma 용사된 MgO 안정화 지르코니아 단열피복의 기공도와 경도에 미치는 용사조건의 영향
박영규, 최국선, 이동희, Park. Yeong-Gyu, Choe. Guk-Seon, Lee. Dong-Hui 한국재료학회 한국재료학회지 10 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1992, Vol.2 No.2 85-94 (10 pages)
Plasma 용사된 단열피복에 내재하는 기공의 크기, 형상 및 분포는 피복층 자체의 물성에 지대한 영향을 미치므로 이를 용사변수에 따라 조사하였다. MgO 안정화 지르코니아 피복시 도입되는 기공은 미세기공 외에 각각 생성기구가 다른 조대한 기공 즉 구형과 불규칙한 기공, 그리고 crack으로 구성되었다. 용사거리에 따라 기공의 생성과정과 특성이 변하였으며 Plasma 전류 및 가스 유량의 증가에 의해서 기공도는 감소하는 경향을 보였다. Plasma 가스가 $N_2$인 경우가 Ar보다 더 높은기공도를 보였고 전체적으로 단열피복의 기공도는... -
하이브리드 플라즈마 입자가속 충격퇴적(Hybrid Plasma - Particle Accelerating Impact Deposition, HP-PAID) 프로세스에 의한 Si 나노구조 코팅층의 제조 및 특성평가
이형직, 권혁병, 정해경, 장성식, 윤상옥, 이형복, 이홍림 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 6 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2003, Vol.40 No.12 1202-1207 (6 pages)
가속입자충격 프로세스를 이용하여 기상의 TEOS(tetraethoxysilane, (C$_2$ $H_{5}$O)$_4$Si)를 Ar-hybrid plasma 환경 하에 분사하는 방법으로 나노구조(nanostructured) Si 코팅 합성에 대해서 연구하였다. 반응가스와 함께 플라즈마제트는 노즐을 통해서 챔버속으로 700 torr정도에서 10 torr정도로 압력 강하를 동반하며 확장되었다. 노즐의 초중단부에서 핵생성 및 입성장한 초미세입자는 노즐의 하단의 자유 제트에서 가속되어 온도조절 기판위에 관성 충격에 의해 퇴적되어 10nm 이하의 비정질 실리콘 코팅층이 형성되었다. 퇴적된... -
Ar 플라즈마 처리에 따른 Al-doped ZnO 박막특성변화
진선문, 안철우, 조남인, 남형진, Jin. Sun-Moon, Ahn. Chul-Woo, Cho. Nam-In, Nam. Hyoung-Gin 한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 4 Pages
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 2011, Vol.10 No.4 43-46 (4 pages)
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$Ar^+$ RF 플라즈마 처리조건이 임베디드 PCB내 전극 Cu박막과 ALD $Al_2O_3$ 박막 사이의 계면파괴에너지에 미치는 영향
박성철, 이장희, 이정원, 이인형, 이승은, 송병익, 정율교, 박영배, Park. Sung-Cheol, Lee. Jang-Hee, Lee. Jung-Won, Lee. In-Hyung, Lee. Seung-Eun, Song. Byoung-Ikg, Chung 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 8 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 2007, Vol.14 No.1 61-68 (8 pages)
순수 빔 굽힘을 가정한 에너지 평형 해석을 통하여 계면파괴에너지를 구하였다. $Cu/Al_2O_3$의 계면파괴에너지(${Gamma}$)는 매우 약하여 측정할 수 없었으나, 접착력 향상층 Cr 박막을 삽입하여 $Cr/Al_2O_3$의 계면파괴에너지는 $10.8{pm}5.5g/mm$를 얻었다. $Al_2O_3$ 표면에 $0.123W/cm^2$ 의 power density로 2분간 $Ar^+$ RF 플라즈마 전처리를 하고 Cr박막을 삽입한 $Cr/Al_2O_3$ 계면파괴에너지는 $39.8{pm}3.2g/mm$으로 매우 크게 증가하였는데, 이는 $Ar^+$ RF 플라즈마 전처리에 따른 mechanical interlocking효과와 Cr-O... -
Ar Ion Beam 처리를 통한 Organic Thin Film Transistor의 성능향상
정석모, 박재영, 이문석, Jung. Suk-Mo, Park. Jae-Young, Yi. Moon-Suk 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 5 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2007, Vol.44 No.11 15-19 (5 pages)
진공 증착하기 전에 게이트 절연막을 $O_2$ plasma와 Ar ion beam을 이용하여 건식법으로 전처리 한 후 표면 특성을 atomic force microscope (AFM) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)를 사용하여 비교 분석하였고, 각 조건으로 OTFT를 제작하여 전기적 특성을 확인하였다. Ar ion beam으로 표면처리 했을 때, $O_2$ plasma처리했을 때 보다 향상된 on/off ratio 전기적 특성을 얻을 수 있었다. 표면 세정을 위하여 $O_2$ plasma 처리시 $SiO_2$ 표면의 OH-기와 반응하여 oxide trap density가 높아지게 되고 이로 인하여 off... -
Ar 가스 압력과 RF 전력변화에 따른 유도결합형ㆍ플라즈마 E-H모드 변환의 광학적 특성
허인성, 조주웅, 이영환, 김광수, 최용성, 박대희 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 4 Pages
대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 2004, Vol.53 No.1 20-23 (4 pages)