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NDRO FRAM 소자를 위한 $Pt/SrBi_2Ta_2O_9/ZrO_2/Si$ 구조의 특성에 관한 연구
김은홍, 최훈상, 최인훈 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2000, Vol.9 No.4 315-320 (6 pages)
본 연구에서는 강유전체 박막을 게이트 산화물로 사용한 $Pt/Sr_{0.8}Bi_{2.4}Ta_2O_{9}(SBT)/ZrO_2Si$(MFIS)와 Pt/SBT/Si(MFS)구조의 결정 구조 및 전기적 성질을 고찰하였다. XRD 및 SEM측정 결과 SBT/ZrO$_2$/Si 구조의 경우 SBT/Si구조에 비해 SBT 박막이 더 큰 결정립이 형성되었다. AES분석 결과 $ZrO_2$ 박막을 완충층으로 사용함으로써 SBT 박막과 Si 기판의 상호반응을 적절히 억제할 수 있음을 확인하였다. Pt/SBT/$ZrO_2/Pt/SiO_2$/Si와 Pt/SBT/Pt/$SiO_2$/Si 구조에서 Polarization-Voltage(P-V) 특성을 비교해 본 결과... -
RF Sputtering을 이용한 $Sr_2$$({Ta_{1-x}},{Nb_x})_2$)$O_7$ 박막의 성장 및 전기적 특성
인승진, 최훈상, 이관, 최인훈, In. Seung-Jin, Choe. Hun-Sang, Lee. Gwan, Choe. In-Hun 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2001, Vol.11 No.5 367-371 (5 pages)
RF magnetron sputtering 법으로 T $a_2$ $O_{5}$ 세라믹 타겟과 S $r_2$N $b_2$ $O_{7}$ 세라믹 타겟을 동시 sputtering하여 저유전율 S $r_2$(T $a_{1-x}$ , N $b_{x}$)$_2$ $O_{7}$(STNO) 박막을 p-type Si (100) 기판 위에 증착하여 NDRO 강유전체 메모리 (Non-destructive read out ferro-electric random access memory)에 사용되는 Pt/STNO/Si (MFS) 구조의 응용 가능성을 확인하였다. Sr$_2$Nb$_2$ $O_{7} (SN O)$ 타겟과 T $a_2$ $O_{5}$ 타겟의 출력의 비를 100w/100w, 70w/100w, 그리고 50w/100w로 조절하면서 x 값을 달리하여... -
ZrO2 완충층과 SBT박막을 이용한 MFIS 구조의 제조 및 전기적 특성
김민철, 정우석, 손영국, Kim. Min-Cheol, Jung. Woo-Suk, Son. Young-Guk 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 9 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2002, Vol.39 No.4 377-385 (9 pages)
구조의 적용하기 위해 R. F. 마그네트론 스퍼터를 이용하여 p-type Si(111) 기판 위에 $ZrO_2$와 $SrBi_2Ta_2O_9$ 박막을 증착하였다. SBT 박막은 $ZrO_2$ 완충층을 삽입함으로써 MFIS 구조의 전기적인 특성이 향상되었다. $ZrO_2$ 박막의 두께를 고정하고 SBT 박막의 두께를 160nm에서 220nm으로 변화시키면서 윈도우 메모리를 3-9V의 범위에서 측정하였다. Pt/SBT(160nm)/$ZrO_2$(20nm)/Si의 조건에서 최대 2.2V 메모리 윈도우 값을 얻을 수 있었으며 이 메모리 윈도우 값은 실제 적용되는 저전압 NDRO-FRAM 구동에 충분한 값이다. -
새로운 저온 열처리 공정으로 제조된 SrBi2Ta2O9 박막의 결정성 및 전기적 특성
이관, 최훈상, 장유민, 최인훈, Lee. Gwan, Choe. Hun-Sang, Jang. Yu-Min, Choe. In-Hun 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2002, Vol.12 No.5 382-386 (5 pages)
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메모리 소자에의 응용을 위한 SrBi2Nb2O9 박막의 성장 및 전기적 특성
강동훈, 최훈상, 이종한, 임근식, 장유민, 최인훈, Gang. Dong-Hun, Choe. Hun-Sang, Lee. Jong-Han, Im. Geun-Sik, Jang. Yu-Min, Choe. In-Hun 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2002, Vol.12 No.6 464-469 (6 pages)
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RF 마그네트론 스퍼터링법에 의해 증착된 SrBi$_2$$Nb_2$>$O_9$ 박막의 전기적 특성에 관한 연구
조금석, 최훈상, 이관, 최인훈, Jo. Geum-Seok, Choe. Hun-Sang, Lee. Gwan, Choe. In-Hun 한국재료학회 한국재료학회지 4 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2001, Vol.11 No.4 290-293 (4 pages)
세라믹 타겟인 Sr$_2$Nb$_2$O$_{7}$ (SNO)과 Bi$_2$O$_3$을 장착한 RF-마그네트론 스퍼터링을 이용하여 SrBi$_2$Nb$_2$O$_{9}$ (SBN) 박막을 p-type Si(100) 기판 위에 증착하였다. 증착시 두 타겟의 파워비를 조절하여 조성의 변화에 따른 SBN 박막의 구조적 및 전기적 특성을 조사하였다. 증착된 SBN 박막은 $700^{circ}C$의 산소분위기에서 1시간 동안 열처리를 하였으며 상부전극으로 Pt를 증착한 후 산소분위기에서 30분 동안 $700^{circ}C$에서 전극 후열처리를 실시하였다. 증착된 SBN 박막은 $700^{circ}C$ 열터리 후에...