자료유형
발행기관
- 한국결정성장학회(21)
- 한국진공학회(20)
- 한국센서학회(14)
- 한국광학회(13)
- 한국재료학회(10)
- 한국세라믹학회(7)
- 대한전자공학회(6)
- 한국안광학회(5)
- 한국의학물리학회(5)
- 한국전기전자재료학회(5)
- 한국고분자학회(4)
- 대한기계학회(3)
- 한국결정학회(3)
- 한국식품과학회(3)
- 대한방사선과학회(2)
- 대한화학회(2)
- 한국고고학회(2)
- 한국미술치료학회(2)
- 한국방사선학회(2)
- 한국전기화학회(2)
- 한국조명전기설비학회(2)
- 대한신경정신의학회(1)
- 이화여자대학교 교과교육연구소(1)
- 인문사회과학기술융합학회(1)
- 한국ITS학회(1)
- 한국공업화학회(1)
- 한국마린엔지니어링학회(1)
- 한국마이크로전자및패키징학회(1)
- 한국식물병리학회(1)
- 한국아동미술학회(1)
- 한국연소학회(1)
- 한국정보통신학회(1)
- 한국통신학회(1)
- 한국표면공학회(1)
간행물
- 한국결정성장학회지(21)
- 한국진공학회지(20)
- 센서학회지(14)
- 한국광학회지(13)
- 한국재료학회지(10)
- 한국세라믹학회지(6)
- 의학물리(5)
- 한국안광학회지(5)
- 전기전자재료학회지= THE JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONIC MATERIAL ENGINEERS(4)
- 폴리머(4)
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF TELEMATICS AND ELECTRONICS. D(3)
- 한국결정학회지(3)
- 한국식품과학회지(3)
- 대한기계학회론문집. TRANSACTIONS OF THE KOREAN SOCIETY OF MECHANICAL ENGINEERS. B. B(2)
- 대한화학회지(2)
- 미술치료연구(2)
- 전기화학회지(2)
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE INSTITUTE OF ELECTRONICS ENGINEERS OF KOREA. SD, 반도체(2)
- 조명-전기설비학회논문지(2)
- 한국방사선학회 논문지(2)
- 공업화학(1)
- 교과교육학연구(1)
- 대한기계학회논문집(1)
- 대한방사선기술학회지(1)
- 마이크로전자 및 패키징 학회지(1)
- 방사선기술과학(1)
- 식물병연구(1)
- 신경정신의학(1)
- 아동미술교육(1)
- 예술인문사회융합멀티미디어논문지(1)
- 요업학회지(1)
- 전기전자재료학회논문지(1)
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE INSTITUTE OF ELECTRONICS ENGINEERS OF KOREA. IE. 산업전자(1)
- 한국ITS학회 논문지(1)
- 한국고고학보(1)
- 한국고고학전국대회 발표문(1)
- 한국박용기관학회지(1)
- 한국연소학회지(1)
- 한국정보통신학회논문지(1)
- 한국통신학회논문지(1)
- 한국표면공학회지(1)
전체 선택해제
총 146건 검색
본문검색 결과만 보기
-
MOCVD로 성장한 Zn-doped InGaN의 광특성 연구
이창명, 이주인, 임재영, 신은주, 김선운, 서준호, 박근섭, 이동한 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2001, Vol.10 No.1 67-71 (5 pages)
Zn와 관련한 acceptor-like conte들에 대한 넓은 스펙트럼들은 2.81 eV와 2.60 eV에서 관측되었다. 특히, 2.81 eV영역에서는 포논과의 상호작용에 의한 스펙트럼이 나타났으며, 포논 에너지가 $omega$=92.5 meV의 값을 가짐을 확인하였다. InGaN 시료의 온도 변화에 대한 스펙트럼에서, 온도가 증가함에 따라 청색 발광을 기준으로 낮은 쪽의 에너지에 비해 높은 에너지 쪽의 발광이 빠른 감소를 가져왔으며 아울러 2.81eV 영역에 해당하는 스펙트럼은 18meV만큼 높은 에너지 쪽으로 이동함을 관측하였다. 그러므로 청색 영역에서의... -
플라즈마 중합막의 기판재질 의존성과 전자선 조사 특성에 대한 연구
김종택, 박수홍, 김형권, 김병수, 이덕출 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1998, Vol.7 No.4 410-414 (5 pages)
발광 분석을 행하였으며 제작된 박막의 가교성을 확인하기 위해서 전자빔 노광을 시켜보았다. 기판의 재질이 도체 및 절연체인 양자의 경우를 비교해 보면 전 자는 후자에 비해서 전체적으로 발광 스펙트럼의 피이크 강도가 크게 나타났으며, 준안정상 태에 대한 피이크와 이온에 대한 피이크를 검토한 결과, 기판이 절연물일 때는 전극의 위치 를 멀게 할수록 이온의 피이크 강도가 극단까지 떨어짐을 알 수 있었다. 제작된 중합스티렌 박막을 통하여 발광 스펙트럼의 변화에 따라서 막의 가교성 변화가 생기는 것을 알 수 있었... -
$Ga_2S_3$: Er 단결정의 Photoluminescence 특성 연구
진문석, 김화택 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1998, Vol.7 No.1 66-71 (6 pages)
주어졌다. 이들 $Ga_2S_3:Er$:Er단결정을 Cd-He 레이저의 325nm-선으로 여기하여 측정한 photoluminescence 스펙트럼에서, A형 단결정은 444nm에 피크가 위치하는 강한 청색발광띠가 나타났다. B형 단결정은 513nm과 695nm에 피크가 위치하는 녹색발광띠 및 적색발광띠 및 적색발광띠만이 나타났다. 두가지 종류의 단결정 모두에서 525nm과 695nm에 피크가 위치하는 녹색발광띠 및 적색발광띠만이 나타났다. 두가지 종류의 단결정 모두에서 525nm, 553nm, 664nm, 812nm, 986nm, 1540nm 파장 영역 부근에 위치하는 예리 한... -
다공질 실리콘: 새로운 마이크로센서 및 마이크로액추에이터 재료
민남기, 이치우, 정우식, 김동일, Min. Nam Ki, Chi. Woo Lee, Jeong. Woo Sik, Kim. Dong Il 한국전기화학회 전기화학회지 6 Pages
한국전기화학회 전기화학회지 1999, Vol.2 No.1 17-22 (6 pages)
초기단계에 있기 때문에, 지금까지 발광 다이오드나 화학 센서 등과 같은 몇몇 응용 소자가 발표된 수준에 머물러 있다. 본 논문에서는 화학 센서와 광소자를 중심으로 다공질 실리콘 센서 및 액추에이터 연구현황을 고찰 보고하고자 한다. 정전용량형 다공질 실리콘 습도센서의 감습 특성은 비선형이였으며, 저습보다는 $40\%RH$ 이상의 고습영역에서 더 높은 감도를 나타내었다. 다공질 실리콘 $n^+-p-n^+$ 소자는 에탄올에 노출되었을 때 소자 전류가 급격히 증가하였다. 다공질 실리콘 다이어프램에 제작된 $p^+-PSi-n^+$ 다이오드는... -
GaP단결정의 성장과 특성에 관하여
김선태, 문동찬 한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 11 Pages
한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1992, Vol.5 No.3 284-294 (11 pages)
실험적으로 $E_{g}$(T)=2.3383-(6.082*$10^{-4}$) $T^{2}$/(373.096+T)[eV]로 구하여졌다. 저온에서 측정된 광루미네센스 스펙트럼은 구속된 여기자의 복사재결합과 재결합 과정에 포논의 참여로 인하여 에너지갭 부근의 복잡한 선 스펙트럼이 나타났고 얕은 준위의 Si도너와 Zn억셉터준위 사이에서의 복사재결합 및 이에 대한 1LO, 2LO의 포논복제가 나타났으며 S $i_{Ga}$ -S $i_{p}$의 쌍방출에 의하여 1.8932[eV]에서 넓은 반치전폭의 피크가 나타났다. GaP의 적외선 흡수는 TO, LO, LA, T $A_{1}$, T $A_{2}$ 포논들의 이중결합... -
$Eu^{2+}, Dy^{3+}$를 도핑한 $SrAl_2O_4$축광성 형광체 합성에 있어서 $B_2O_3$의 첨가 효과
유연태, 김병규, 남철우, Yu. Yeon-Tae, Kim. Byeong-Gyu, Nam. Cheol-U 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1998, Vol.8 No.11 999-1004 (6 pages)
형광체의 결정구조 및 잔광 특성에 미치는 영향을 조사하였다. 합성된 $SrAl_2O_4$:$Eu^{2+}, Dy^{3+}$ 형광체는 520nm에서 최대 피크를 갖는 폭넓은 발광 스펙트럼을 나타내었고, $B_2O_3$ 첨가량의 5wt%일 때 최대값을 나타내었다. $B_2O_3$의 첨가에 의해 $SrAl_2O_4$:$Eu^{2+}, Dy^{3+}$ 결정 내부에는 균일 변형(uniform strain)이 발생하였고 이 결과로 결정격자의 a축과 c축의 길이 및 $eta$각이 감소하여다. 그리고 $SrAl_2O_4$ 결정내부의 균일 변형은 $Eu^{2+}$이온의 여기과정에서 발생하는 정공(hole)의 포획 사이트인 음이... -
Eu 부활형 Sr-Al-O 계 장잔광 형광체의 합성과 잔광특성
이영기, 김정열, 김병규, 유연태, Lee. Young-Ki, Kim. Jung-Yeul, Kim. Byung-Kyu, Yu. Yeon-Tae 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1998, Vol.8 No.8 737-743 (7 pages)
2O_3$, $AI_2O_34의 혼합분말은 $1000^{circ}C$이상에서 모체결정인 $SrAl_2O_4$의 단일상이 형성되었으나, 장잔관 형광체로서 최적의 합성조건은 $1300^{circ}C$, 3시간이었다. 그리고 $SrAI_2O_4:Eu^{2+}$는 부활제인 $Eu^{2+}$의 $4f^65d^1$ $ ightarrow$$4f^7$천이에 기인하여 황록색발광영역의 520nm(2.384eV)를 최대 발파장으로 하는 450~650nm의 폭넓은 발광스펙트럼을 보였으며, 또한 발광파장을 520nm로 고정하여 측정한 여기스펙트럼의 최대 흡수피크는 360nm이고 250nm에서 480nm의 넓은 범위에서 흡수스펙트럼이 관찰되었다. -
사파이어를 기판으로 이용하여 HVPE법으로 제작한 Freestanding GaN의 특성
이영주, 김선태, Lee. Yeong-Ju, Kim. Seon-Tae 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1998, Vol.8 No.7 591-595 (5 pages)
격자상수는 $c_{o}$ =5.18486$AA$이었고, 이중 X-선 회절피크의 반치폭은 650 arcsec 이었다. 10K의 온도에서 측정한 PL 스펙트럼은 에너지 밴드 갭 부근에서 중성 도너와 중성 억셉터에 구속된 여기자 및 자유여기자의 소멸에 의한 발광과 결정 결함고 관계하는 깊은 준위에 의한 1.8eV 부근 발광으로 구성되었다. 또한 라만 E2(high)모드 주파수는 567cm-1로서 벌크 GaN 단결정의 값과 같았다. 한편, GaN 기판의 전기저항도형은 n형이었고, 전기 비저항은 0.02$Omega$.cm이었으며, 캐리어 이동도와 농도는 각각 283$ extrm{cm}^2$/V.s와... -
$MgAl_2O_4$ 기판위에 HVPE법으로 성장된 후막 GaN의 광학적 특성
이영주, 김선태, Lee. Yeong-Ju, Kim. Seon-Tae 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1998, Vol.8 No.6 526-531 (6 pages)
첨가된 GaN의 PL 특성을 나타내었다. 10K의 온도데서 측정된 PL 스펙트럼은 자유여기자와 속박여기자의 재결합천이에 의한 피크들과 불순물과 관련된 도너-억셉터 쌍 사이의 재결합 및 이의 포논 복제에 의한 발광으로 구성되었으며, 깊은 준위로부터의 발광은 나타나지 않았다. 중성 도너에 속박된 여기자 발광 에너지와 라만 $E_2$모드 주파수는 GaN의 두께가 증가함에 따라 지수 함수적으로 감소하였으며, GaN 내의 잔류 응력에 대하여 라만 E2 모드 주파수는$Delta$$omega$=3.93$sigma$($cm^{-1}$/GPa)의 관계로 변화하였다. -
이온화된 N-source를 사용한 GaN박막의 성장과 특성
김선태, 이영주, Kim. Seon-Tae, Lee. Yeong-Ju 한국재료학회 한국재료학회지 9 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1998, Vol.8 No.3 229-237 (9 pages)
연구에서 성장한 GaN박막에 대한 XPS분석 결과 낮은 온도에서 성장된 GaN박막은 진공 chamber 내의 산소가 성장된 박막 내에 많이 혼입 되어 있음을 알 수 있었다. 낮은 온도, 짧은 시간 동안 성장된 표면은 Ga덩어리들도 도포 되었다. 그러나, 기판온도와 성장시간이 증가함에 따라 이들은 피라미드 형태의 결정들로 성장된 후 원형고리 형태의 결정으로 합체되었다. 특히 N-소스의 공급이 충분한 경우에는 판상의 결정으로 성장되었다. 20K의 온도에서 측정된 PL스펙트럼에서는 3.32eV와 3.38eV에서 불순물과 관련된 발광이 관찰되었다.