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Si(100)에 이온 주입 시 에너지, 조사량과 빔 전류에 따른 면저항의 변화
김형인, 정영완, 이명희, 강석태, Kim. Hyung-In, Jeong. Young-Wan, Lee. Myeung-Hee, Kang. Suk-Tai 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2011, Vol.20 No.2 100-105 (6 pages)
이온을 Si(100) 기판에 주입할 때 조사량과 에너지, 빔 전류가 면저항에 영향을 미치는 원인을 규명하기 위해 여러 연구자가 행하였던 실험과 동일한 조건으로 Crystal TRIM 프로그램을 이용하여 컴퓨터 시뮬레이션을 실행하였다. 주입한 $As^+$이온의 조사량을 $1{ imes}10^{15}/cm^2$로 일정하게 하고 에너지를 5, 10, 15 keV로 변화시켜 계산한 결과 에너지가 커질수록 Rp값은 표면에서 깊어지는 반면에, 표면근방에 축적되는 격자손상은 증가하였다. 20keV의 B+이온을 $5{ imes}10^{15}/cm^2$의 동일한 조사량으로 1mA와 7 mA의 빔... -
InGaAs 양자점 레이저 다이오드와 양자우물 레이저 다이오드의 특성 비교
정경욱, 김광웅, 유성필, 조남기, 박성준, 송진동, 최원준, 이정일, 양해석, Jung. Kyung-Wuk, Kim. Kwang-Woong, Ryu. Sung-Pil, Cho. Nam-Ki, Park. Sung-Jun, Song. Jin-Dong, Cho 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2007, Vol.16 No.5 371-376 (6 pages)
분자선 에피택시(molecular beam epitaxy, MBE)로 성장된 InGaAs 양자점 레이저 다이오드(quantum dot laser diode, QD-LD)와 InGaAs 양자우물 레이저 다이오드(quantum well laser diode, QW-LD)의 특성을 비교하였다. 펄스 입력전류 하에서 문턱전류밀도(threshold current density, $J_{th}$), 특성온도(characteristic temperature, $T_0$), 온도에 따른 발진파장의 변화도($d{lambda}/dT$)를 측정한 결과, 양자우물 레이저 다이오드는 $J_{th};=;322;A/cm^2,;T_0;=;55.2;K,;d{lambda}/dT;=;0.41;nm/^{circ}C$로 측정되었으며, 양자점... -
MBE에 의한 다양자 우물제작 및 특성연구(공명투과 다이오드의 제작과 전기적 특 성)
김순구, 강태원, 홍치유, 정관수, 주영도 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1992, Vol.1 No.1 134-138 (5 pages)
GaAs/AlAs 이중장벽 구조를 MBE(Molecular Beam Epitaxy)법으로 성장하여, mesa diode를 제작하고 전류전압 특성을 측정하였다. 계면은 평탄한 이중장벽 구조로 성장 되었음이 확인되었으며, 실온에서 장벽의 두께가 변화함에 따라 PVCR(Peak to Valley Current Ratio)의 값은 크게 변하지 않았다. 이는 장벽의 두께가 증가함에 따라 nonresonant tunneling에 의한 valley current가 크게 증가함에 기인한다. -
AlGaN/InGaN HEMTs의 고성능 초고주파 전류 특성
이종욱 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 7 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2004, Vol.15 No.8 752-758 (7 pages)
전극 길이가 0.5 $mu$m로 제작된 소자는 비교적 평탄한 전류 전달 특성을 나타내었으며 최대 전류 880 mA/mm, 최대 전달정수 156 mS/mm, 그리고 $f_{r}$와 $f_{MAX}$는 각각 17.3 GHz와 28.7 GHz가 측정되었다. 또한 표면 처리되지 않은 AlGaN/InGaN/HEMT의 경우 기존의 AlGaN/GaN HEMT와는 달리 펄스 전류 동작 상태에서 전류 와해 현상(current collapse)이 발생하지 않음이 확인되었다. 이 연구 결과는 InGaN를 채널층으로 사용할 경우 표면에 존재하는 트랩에 의한 전류 와해 현상이 발생하지 않는 고성능, 고출력의 GaN HEMT를... -
MDCT의 관전압, 관전류, 슬라이스 두께 변화에 따른 팬텀의 선량 분포 측정
이창래, 전성수, 남소라, 조효민, 정지영, 김희중, Lee. Chang-Lae, Jeon. Seong-Su, Nam. So-Ra, Cho. Hyo-Min, Jung. Ji-Young, Kim. Hee-Joung 한국의학물리학회 의학물리 5 Pages
한국의학물리학회 의학물리 2007, Vol.18 No.3 139-143 (5 pages)
측정 하였다. 그 결과 환자선량 $CTDI_w$ 값은 관전압과 관전류가 증가할수록 선형적으로 증가하였고 beam collimation이 증가 할수록 감소하였다. 따라서 관전압, 관전류는 환자의 피폭선량에 직접적인 영향을 주고 슬라이스 두께는 영향이 적은 것을 알 수 있었다. 임상의 전형적인 MDCT 복부 scan에서 120 kVp, 180 mAs, 20 mm collimation과 0.75 pitch의 조건하에 $CTDI_w$와 $CTDI_{vol}$의 측정값은 각각 20.2 mGy, 26.9 mGy이었고 스캔 길이가 271.3 mm인 환자의 DLP와 유효선량은 각각 $729.1;mGy{cdot}cm$, 10.9 mSv였다. -
필지내 벼 수량의 공간변이 해석
이충근, 우메다미키오, 정인규, 성제훈, 김상철, 박우풍, 이용범 한국농업기계학회 바이오시스템공학 8 Pages
한국농업기계학회 바이오시스템공학 2004, Vol.29 No.3 267-274 (8 pages)
a novel two-step deposited silicide process. The key point of this process is the deposition and subsequent removal of titanium before the titanium silicide process. It was found by using focused ion beam transmission electron microscopy that the STI structure improved the narrow channel effect and reduced the junction leakage current and threshold voltage at the edge of the channel. In terms of transistor characteristics, we also obtained a low gate voltage variation and a low trap density,... -
주사 전자 현미경에서 전자빔 프르브 생성
임선종, 이찬홍, Lim. Sun-Jong, Lee. Chan-Hong 한국공작기계학회 한국공작기계학회논문집 6 Pages
한국공작기계학회 한국공작기계학회논문집 2008, Vol.17 No.5 52-57 (6 pages)