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Short channel SNOSFET EEPROM의 제작과 특성에 관한 연구
강창수, 김동진, 서광열 한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 9 Pages
한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1993, Vol.6 No.4 330-338 (9 pages)
1.7.mu.m인 비휘발성 SNOSFET EEPROM 기억소자를 CMOS 1 Mbit 설계규칙에 의하여 제작하고 체널크기에 따른 $I_{D}$- $V_{G}$특성 및 스위칭 특성을 조사하여 비교하였다. 게아트에 전압을 인가하여 질화막에 전하를 주입시키거나 소거시킨 후 특성을 측정한 결과, 드레인전류가 적게 흐르는 저전도상태와 전류가 많이 흐르는 고전도상태로 되는 것을 확인하였다. 15 x 15.mu.m의 소자는 전형적인 long channel특성을 나타냈으며 15 x 1.5.mu.m, 1.9 x 1.7.mu.m는 short channel특성을 보였다. $I_{D}$- $V_{G}$ 특성에서 소자들의 임계... -
PEMOCVD에 의한 강 유전체 $ extrm{SrBi}_{2} extrm{Ta}_{2} extrm{O}_{9}$박막의 제조 및 증착온도 특성
성낙진, 윤순길, Seong. Nak-Jin, Yun. Sun-Gil 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1997, Vol.7 No.5 381-385 (5 pages)
낮은 온도에서 성공적으로 Pt/Ti/SiO$_{2}$Si위에 증착되었다. 5$50^{circ}C$에서 증착된 200nm박막은 치밀하고 작은 결정립을 보였으며 3V의 인가전압하에서 이력곡선은 포화되기 시작하였다. 3V에서 박막은 잔류분극 (P$_{r}$)과 항전계(E$_{c}$)는 각각 15$mu$/$ extrm{cm}^2$과 50kV/cm이었다. 6V bipolar square pulse의 피로측정에서 박막은 1.0x$10^{11}$cycles까지 피로 현상을 보이지 않았다. PEMOCVD에 의해서 5$50^{circ}C$에서 증착된 SBT박막은 비휘발성 기억소자에 충분히 활용할 수 있다.다. -
화학 기상 증착법으로 제조한 ReMnO3(Re:Y, Ho, Er) 박막의 전기적 특성
김응수, 채정훈, 강승구, Kim. Eung-Soo, Chae. Jung-Hoon, Kang. Seung-Gu 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 5 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2002, Vol.39 No.12 1128-1132 (5 pages)
MFS-FET(Metal-Ferroelectric-Semiconductor Field Effect Transistor) 구조의 비휘발성 기억소자용 $ReMnO_3$(Re:Y, Ho, Er) 박막을 금속 유기 화학 기상 증착법(MOCVD)으로 증착하였다. $ReMnO_3$ 박막을 Si(100) 기판 위에 700${circ}C$-2시간 증착 시켜 결정화를 위해 대기 중에서 900${circ}C$-1시간 열처리 시 육방정계(hexagonal) 단일상의 $ReMnO_3$ 박막을 형성하였다. 육방정계 단일상 구조에서 $ReMnO_3$ 박막의 강유전 특성은 c-축 배향성에 의존하였으며, c-축 배향성이 우수한 $YMnO_3$ 박막의 잔류 분극(Pr) 값은 105... -
전하트랩형 NVSM의 게이트 유전막을 위한 질화산화막의 재산화특성에 관한 연구
이상은, 한태현, 서광열 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 7 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2001, Vol.11 No.5 224-230 (7 pages)
초박막 게이트 유전막 및 비휘발성 기억소자의 게이트 유전막으로 연구되고 있는 $NO/N_2O$ 열처리된 재산화 질화산 화막의 특성을 D-SIMS(Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry), ToF-SIMS(Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry), AES(Auger Electron Spectroscopy)으로 조사하였다. 시료는 초기산화막 공정후에 NO 및 $N_2O$ 열처리를 수행하였으며, 다시 재산화공정을 통하여 질화산화막내 질소의 재분포를 형성토록하였다. 재산화에 있어서 습식산화시 공정에 사용된 수소에 의한 영향으로 계면 근처에 축적된 질소가... -
부유대용융법에 의한 YMnO$_3$단결정 성장
권달회, 강승구, 김응수, 김유택, 심광보 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 7 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2000, Vol.10 No.4 279-285 (7 pages)
부유대용융법에 의해 비휘발성 기억소자용 강유전성물질인 $YMnO_3$단결정을 육성하였다. 결정성장전 YMnO$_3$분말의 최적합성조건은 $1200^{circ}C$에서 10시간, 최적원료봉 소결조건으로 $1500^{circ}C$에서 10시간이었다. 초기 Seed가 없는 상태에서의 실험에서 성장된 단결정의 우선성장방위는 X-ray Laue분석을 통하여 [1010] 임을 알수 있었고 이 결정을 seed로 사용하여 c-축에 수직한 방향으로 $YMnO_3$단결정을 성장하였다 성장된 단결정은 직경 5mm, 길이 50 mm로 양질의 흑청색 결정이었다. -
실리콘 산화막의 트랩 밀도에 관한 연구
김동진, 강창수 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. T 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. T 1999, No.0 13-18 (6 pages)
본 논문은 서로 두께가 다른 실리콘 산화막의 스트레스 바이어스에 의한 트랩밀도를 조사하였다. 스트레스 바이어스에 의한 트랩밀도는 인가 시간 동안의 전류와 인가 후의 전류로 구성되어 있다. 인가 시간 동안의 트랩밀도는 직류 전류로 구성되었으며 인가 후의 트랩 밀도는 계면에서 트랩의 충전과 방전에 의한 터널링에 희해 야기되었다. 스트레스 인가 동안의 트랩밀도는 산화막 두께의 한계를 평가하는데 사용되며 스트레스 인가 후의 트랩밀도는 비휘발성 기억소자의 데이터 유지 특성을 평가하는데 사용된다.