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281.

이종 레지스트 패터닝을 이용한 테라헤르츠용 쇼트키 다이오드 개발

한민, 최석규, 이상진, 백태종, 고동식, 김정일, 김근주, 전석기, 윤진섭, 이진구, Han. Min, Choi. Seok-Gyu, Lee. Sang-Jin, Baek. Tae-Jong, Ko. Dong-Sik, Kim. Jung-Il, Kim. Geun- 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 8 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2012, Vol.49 No.8 47-54 (8 pages)

한민, 최석규, 이상진, 백태종, 고동식, 김정일, 김근주, 전석기, 윤진섭, 이진구, Han. Min, Choi. Seok-Gyu, Lee. Sang-Jin, Baek. Tae-Jong, Ko. Dong-Sik, Kim. Jung-Il, Kim. Geun- 저

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본 논문에서는 테라헤르츠 시스템에 적용 가능한 쇼트키 다이오드를 이종 레지스트 패터닝 기술을 이용하여 제작 하였다. 제작된 쇼트키 다이오드는 전자선묘화공정(electron beam lithography)과 포토리소그래피(photolithography)를 사용하여 양극 및 양극 패드의 연결을 동시에 패터닝 하여 공정을 단순화 시켰다. 측정결과 제작된 쇼트키 다이오드의 직렬 저항은 $11.2{Omega}$, 접합용량은 25.96 fF, 이상 계수(ideality factor)는 1.25를 얻었으며, 차단 주파수는 547.6 GHz를 얻었다.
282.

High Temperature Dependent SPICE Modeling for Carrier Velocity in MOSFETs Using Measured S-Parameters

정대현, 고봉혁, 이성현, Jung. Dae-Hyoun, Ko. Bong-Hyuk, Lee. Seong-Hearn 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2009, Vol.46 No.12 24-29 (6 pages)

정대현, 고봉혁, 이성현, Jung. Dae-Hyoun, Ko. Bong-Hyuk, Lee. Seong-Hearn 저

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$0.18{mu}m$ deep n-well 벌크 NMOSFET에서 측정된 차단주파수 $f_T$의 고온종속성을 모델화하기 위해, 측정된 S-파라미터를 사용한 정확한 RF 방법으로 $30^{circ}C$에서 $250^{circ}C$까지 전자속도 고온 데이터가 추출되었다. 이러한 추출데이터를 사용하여 개선된 온도종속 전자속도 방정식이 높은 온도의 범위에서 생기는 기존 방정식의 모델링 오차를 없애기 위해 개발되었으며 BSIM3v3 SPICE RF 모델에 구현되었다. 개선된 온도 종속 방정식은 기존 모델보다 $30^{circ}C$에서 $250^{circ}C$까지 측정된 $f_T$와 더 잘...
283.

Wide Width Effect를 고려하여 개선된 SPICE MOSFET RF Model 연구

차지용, 차준영, 이성현, Cha. Ji-Yong, Cha. Jun-Young, Lee. Seong-Hearn 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2008, Vol.45 No.2 7-12 (6 pages)

차지용, 차준영, 이성현, Cha. Ji-Yong, Cha. Jun-Young, Lee. Seong-Hearn 저

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본 연구에서는 게이트 finger수가 증가될수록 드레인 전류의 증가율과 차단주파수가 감소되는 wide width effect를 관찰하였으며, 이 현상을 모델링하기 위하여 기존 BSIM3v3 RF 모델에 finger수에 무관한 외부 소스 저항을 새로 첨가한 개선된 SPICE MOSFET RF 모델을 개발하였다. 이러한 모델로 시뮬레이션된 Nf 종속 드레인 전류와 차단주파수는 기존 BSIM3v3 RF모델보다 $0.13{mu}m$ multi-finger MOSFET의 측정데이터와 더 잘 일치하였으며, 이는 개선된 RF 모델의 정확도를 증명한다.
284.

Hot Carrier 현상에 의한 Bulk DTMOS의 RF성능 저하

박장우, 이병진, 유종근, 박종태, Park. Jang-Woo, Lee. Byoung-Jin, Yu. Jong-Gun, Park. Jong-Tae 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2005, Vol.42 No.2 9-14 (6 pages)

박장우, 이병진, 유종근, 박종태, Park. Jang-Woo, Lee. Byoung-Jin, Yu. Jong-Gun, Park. Jong-Tae 저

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본 논문에서는bulk dynamic threshold voltage MOSFET(B-DTMOS)와 bulk MOSFET(B-MOS)에서 hot carrier 현상으로 인한 RF 성능 저하를 비교하였다. Normal 및 moderate 모드에서 B-DTMOS의 차단주파수 및 최소잡음지수의 열화가 B-MOS 소자 보다 심하지 않음을 알 수 있었다. 실험 견과로부터 hot carrier에 의한 RF 성능 저하가 DC 특성 열화 보다 심함을 알 수 있었다. 그리고 처음으로 hot carrier 현상으로 인한 B-DTMOS 소자의 RF 전력 특성 저하를 측정하였다.
285.

고속 저전력 D-플립플롭을 이용한 프리스케일러 설계

박경순, 서해준, 윤상일, 조태원, Park. Kyung-Soon, Seo. Hae-Jun, Yoon. Sang-Il, Cho. Tae-Won 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 10 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2005, Vol.42 No.8 43-52 (10 pages)

박경순, 서해준, 윤상일, 조태원, Park. Kyung-Soon, Seo. Hae-Jun, Yoon. Sang-Il, Cho. Tae-Won 저

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프리차지(precharge)구간에서 내부노드의 불필요한 방전으로 인한 소비전력이 증가하는 단점이 있다. 본 논문에서는 프리차지와 방전을 위한 클럭 트랜지스터 패스를 공유함으로서 클럭 트랜지스터의 수를 감소시켰고, 입력 단에 PMOS 트랜지스터를 추가하여 프리차지 구간동안의 불필요한 방전을 차단함으로서 소비전력을 최소화하였다. 또한 출력 단에 mos 트랜지스터를 추가함으로서 글리치 문제를 제거했고, 안정적인 동작을 하는 TSPC D-플립플롭을 제안하였다. 제안된 D-플립플롭을 프리스케일러에 적용시켜 검증한 결과 3.3V에서의...
286.

60 GHz 무선 LAN의 응용을 위한 고이득 저잡음 증폭기에 관한 연구

조창식, 안단, 이성대, 백태종, 진진만, 최석규, 김삼동, 이진구 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 7 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2004, Vol.41 No.11 21-27 (7 pages)

조창식, 안단, 이성대, 백태종, 진진만, 최석규, 김삼동, 이진구 저

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RF 특성으로 전류이득 차단주파수(fT)는 113 GHz, 최대 공진 주파수(fmax)는 180 GHz의 성능을 나타내었다. V-band MIMIC 저잡음 증폭기의 개발을 위해 PHEMT의 비선형 모델과 CPW 라이브러리를 구축하였으며, 이를 이용하여 V-band MIMIC 저잡음 증폭기를 설계하였다. 설계된 V-band MIMIC 저잡음 증폭기는 본 연구에서 개발된 PHEMT 기반의 MIMIC 공정을 이용해 제작되었으며, V-band MIMIC 저잡음 증폭기의 측정결과, 60 GHz에서 S21이득은 21.3 dB, 입력반사계수는 -10.6 dB 그리고 62.5 GHz에서 출력반사계수는 -29.7 dB의 특성을...
287.

이동도 보상 회로를 이용한 OTA의 선형성 개선

김규호, 양성현, 김용환, 조경록 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 8 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2003, Vol.40 No.12 46-53 (8 pages)

김규호, 양성현, 김용환, 조경록 저

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영역에서 동작하는 트랜지스터가 병렬로 연결된 구조를 가진다. 이 구조는 이동도 감소 현상에 의한 3차 고조파 성분을 상쇄시키므로, 보다 넓은 입력 범위를 가지면서 개선된 선형성을 유지할 수 있는 OTA 회로의 구현이 가능하다. 제안한 OTA는 ±0.8V의 입력 범위 내에서 ±0.32%의 트랜스컨덕턴스(Gm) 변화율을 갖고 총 고조파 왜곡(THD)은 -60㏈ 이하이다. 제안된 OTA를 적용한 9차 베낄 필터는 공급전압 3.3V를 갖는 0.35㎛ n-well CMOS 공정으로 구현되었으며, 필터의 차단주파수는 8㎒, 전력소비는 65mW로 동작하였다.
288.

0.2 ${mu}m$ Wide-Head T-Gate PHEMT 제작에 관한 연구

전병철, 윤용순, 박현창, 박형무, 이진구, Jeon. Byeong-Cheol, Yun. Yong-Sun, Park. Hyeon-Chang, Park. Hyeong-Mu, Lee. Jin-Gu 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 7 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2002, Vol.39 No.1 18-24 (7 pages)

전병철, 윤용순, 박현창, 박형무, 이진구, Jeon. Byeong-Cheol, Yun. Yong-Sun, Park. Hyeon-Chang, Park. Hyeong-Mu, Lee. Jin-Gu 저

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갖는 PHEMT를 제작하였다. 0.2 ㎛의 게이트 길이와 1.3 ㎛의 게이트 머리의 크기를 갖는 wide-head T-게이트를 형성하기 위하여 PMMA/P(MMA-MAA)/PMMA의 3층 레지스트 구조를 사용하였다. 0.2 ㎛의 게이트 길이와 80 ㎛의 단위 게이트 폭 및 4개의 게이트 핑거를 갖는 PHEMT의 DC 특성으로 323 ㎃/㎜의 드레인 전류 밀도 및 232 mS/㎜의 최대 전달 컨덕턴스를 얻었다. 또한 동일한 소자의 RF 특성으로 40 ㎓에서 2.91 ㏈의 S21 이득과 11.42 ㏈의 MAG를 얻었으며, 전 이득 차단 주파수와 최대 공진 주파수는 각각 63 ㎓와 150 ㎓였다.
289.

완전-차동형 바이폴라 전류 감산기와 이를 이용한 전류-제어 전류 증폭기의 설계

차형우, Cha. Hyeong-U 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 10 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2001, Vol.38 No.11 836-845 (10 pages)

차형우, Cha. Hyeong-U 저

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얻기 위해, FCS는 낮은 전류-입력 임피던스를 갖는 두 개의 전류 폴로워가 좌우 대칭적으로 구성되어 있다. CCCA는 출력전류를 바이어스 전류로 제어하기 위해 완전 차동형 전류 감산기(FCS)와 단일 전류 출력단을 갖는 전류 이득 증폭기(CGA)로 구성되었다. 시뮬레이션 결과 FCS는 5 Ω의 전류-입력 임피던스와 우수한 선형성을 갖는다는 것을 확인하였다. 또한, CCCA는 바어이스 전류를 100μA에서 20 mA까지 가변했을 경우 20 MHz의 3-dB 차단 주파수를 갖는다는 것을 확인하였다. FCS와 CCCA의 전력 소비는 각각 1.8 mW와 3 mW이다.
290.

바이폴라 트랜스레지스턴스 증폭기 설계

차형우, 임동빈, 송창훈, Cha. Hyeong-U, Im. Dong-Bin, Song. Chang-Hun 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 8 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2001, Vol.38 No.11 828-835 (8 pages)

차형우, 임동빈, 송창훈, Cha. Hyeong-U, Im. Dong-Bin, Song. Chang-Hun 저

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저항, 그리고 전압 출력을 위한 전압 폴로워로 구성되었다. 오프셋 보상된 TRA는 TRA의 오프셋 전압을 감소시키기 위한 다이오드 결선된 npn과 pnp 트랜지스터를 채용하였다. 시뮬레이션 결과, TRA근 입-출력 단자에서 0.5 Ω의 임피던스와 40 mV의 오프셋 전압을 갖고 있다는 것이 확인되었다. 오프셋 보상된 TRA는 1.1 mV의 오프셋 전압과 0.25 Ω의 임피던스를 갖고 있다. 두 개의 TRA를 단위-이득의 트랜스레지스턴스를 갖는 전류-전압 변환기로 이용할 때 3-dB 차단 주파수는 40 MHz이다. 제안한 두 TRA의 전력 소비는 11.25 mW이다.

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