자료유형
발행기관
- 한국탄소학회(39)
- 한국전기전자재료학회(3)
- 대한전자공학회(2)
- 한국결정성장학회(2)
- 대한전기학회(1)
- 대한화학회(1)
- 한국마이크로전자및패키징학회(1)
- 한국반도체디스플레이기술학회(1)
- 한국재료학회(1)
- 한국전자통신연구원(1)
- 한국조명전기설비학회(1)
- 한국진공학회(1)
간행물
- CARBON LETTERS(39)
- 전기전자재료학회논문지(2)
- 한국결정성장학회지(2)
- BULLETIN OF THE KOREAN CHEMICAL SOCIETY(1)
- ETRI JOURNAL(1)
- JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE(1)
- TRANSACTIONS ON ELECTRICAL AND ELECTRONIC MATERIALS(1)
- 마이크로전자 및 패키징 학회지(1)
- 반도체디스플레이기술학회지(1)
- 전기학회논문지. THE TRANSACTIONS OF THE KOREAN INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERS. C/ C, 전기물성-응용부문(1)
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF TELEMATICS AND ELECTRONICS. D(1)
- 조명-전기설비학회논문지(1)
- 한국재료학회지(1)
- 한국진공학회지(1)
전체 선택해제
총 54건 검색
본문검색 결과만 보기
-
Employment of Carbonaceous Materials for the Anode of Lithium Secondary Battery
Joong Kee Lee, Byung Won Cho 한국탄소학회 Carbon Letters 9 Pages
한국탄소학회 Carbon Letters 2002, Vol.3 No.3 6 155-163 (9 pages)
리튬이차전지는 21세기 정보화 및 환경친화적 사회를 뒷받침하는 핵심적인 에너지저장 및 동력원으로 사용되고 있어 소형이면서도 고출력, 장수명,대용향 전지 개발을 목표로 연구가 진행되고 있다. 현재 리튬이차전지는 기존의 휴대용 전화기,notebook의 구동전원 이외에도 새로운 CDMA, PDAd의 전원으로 채용되기 때문에 소형이면서도 무게가 가벼운 리튬이차전지의 수요는 앞으로도 꾸준하게 10%이상의 시장이 확대되어질 것으로 예상되고 있다. -
InAs/GaSb 제2형 응력 초격자 nBn 장적외선 검출소자 설계, 제작 및 특성평가
김하술, 이훈, Kim. Ha Sul, Lee. Hun 한국진공학회 韓國眞空學會誌 8 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2013, Vol.22 No.6 327-334 (8 pages)
응력 초격자(strained layer type II superlattice, T2SL)을 이용한 nBn 구조 장적외선 검출소자의 설계 및 제작을 하였다. InAs와 GaSb 두께에 따른 T2SL 구조의 장적외선 밴드갭 에너지를 Kronig-Penney 모델을 이용하여 계산하였다. 소자의 암전류 밀도를 줄이기 위해서, nBn 구조에서 장벽층인 $Al_{0.2}Ga_{0.8}Sb$ 성장 중에 Te 보상도핑(compansated doping)을 하였다. 온도(T) 80 K 및 인가전압($V_b$) -1.5 V에서, 반응스펙트럼 측정을 통한 소자의 차단파장은 ${sim}10.2{mu}m$ (~0.122 eV)로 나타났다. 또한 온도 변화에 따른... -
Fe가 첨가된 MgO 보호막의 표면특성 개선에 관한 연구
이돈규, 박차수, 김광태, 성열문, Lee. Don-Kyu, Park. Cha-Soo, Kim. Kwong-Toe, Sung. Youl-Moon 한국조명전기설비학회 照明·電氣設備學會論文誌 7 Pages
한국조명전기설비학회 照明·電氣設備學會論文誌 2010, Vol.24 No.2 106-112 (7 pages)
플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Hsplay Panel :PDP)이 다른 평판 디스플레이 분야(Liquid Crystal Displays(LCDs) and organic light emitting diodes(OLEDs)등)와 경쟁에서 이기기 위해서는 제품의 고화질화, 저소비전력와 고속구동 등의 성능향상이 필요하다. 본 논문에서는 PDP의 성능향상을 위하여 유전체 보호층으로 쓰이는 MgO 박막에 Fe를 미량 첨가한 박막을 증착하고, 그 특성에 대하여 연구하였다. e-beam 증착법으로 증착된 Fe 도핑 된 MgO 박막의 표면특성과 전기광학적 특성을 4인치 테스트 패널을 제작하여 연구하였다.... -
플라즈마 도핑을 이용한 결정질 태양전지 에미터층 형성 연구
유동열, 노시철, 최정호, 김정환, 서화일, 김영철, Yu. Dong-Yeol, Roh. Si-Cheol, Choi. Jeong-Ho, Kim. Jeong-Hwan, Seo. Hwa-Il, Kim. Yeong-Cheol 한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 4 Pages
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 2011, Vol.10 No.4 61-64 (4 pages)
-
실리콘 기판위에 금속 완충층을 이용한 GaN 성장과 특성분석
이준형, 유연수, 안형수, 유영문, 양민, Lee. Jun Hyeong, Yu. Yeon Su, Ahn. Hyung Soo, Yu. Young Moon, Yang. Min 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 6 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2013, Vol.23 No.4 161-166 (6 pages)
완충층을 사용해 왔다. 그러나 AlN은 아직까지 high doping이 쉽지 않기 때문에, 이로 인해 AlN를 전자소자나 광소자 제작을 위한 완충층으로 이용하는 경우 직렬 저항의 증가라는 문제가 발생할 수 있다. 본 연구에서는 이러한 문제점을 개선하기 위해 AlN 완충층 대신에 금속 완충층을 사용하여 실리콘 기판 위에 GaN 박막 성장실험을 수행하였다. Al, Ti, Cr 그리고 Au 등을 금속 완충층으로 사용하여 실리콘 기판 위에 GaN 층을 성장하였다. 성장된 GaN 박막의 표면 특성을 분석하기 위해 광학현미경과 SEM을 사용하였고, 결정성과... -
실리콘 기판위에 분자선속법으로 생장한 GaAs 에피층
이동선, 우덕하, 김대욱, 우종천 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 10 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 1991, Vol.1 No.1 82-91 (10 pages)
GaAs의 에피층을 생장하고, 이를 분석한 결과를 보고한다. 두 종류의 실리콘 기판에 생장 조건을 다르게 한 시료를 준비하고, SEM, TEM, X-ray회절, PL, Hall 등의 방법으로 분석하였다. 결정면에서 약간 기울여 절삭한 기판에 이단계 성장법으로 성장한 에피층이 보다 좋은 결정 구조를 갖으며, multi-quantum well buffer layer를 삽입하는 것이 stress 해소 등에 도움이 된다. 또 GaAs 에피층은 저절로 실리콘으로 doping이 되는데, exciton bound 에너지 준위를 통한 radiative recombination은 homoepitaxial GaAs 에피층보다 잘... -
GaN를 이용한 Schottky diode형 자외선 수광소자의 제작
성익중, 이석헌, 이채향, 이용현, 이정희, 함성호, Seong. Ik-Joong, Lee. Suk-Hun, Lee. Chae-Hyang, Lee. Yong-Hyun, Lee. Jung-Hee, Hahm. Sung-Ho 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 7 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 1999, No.0 28-34 (7 pages)
전기적 특성과 광학적 특성을 조사하여 자외선 센서로서의 적합성을 검토하였다. 사파이어 기판위에 성장된 GaN 박막은 $7.8{ imes}10^{16}cm^{-3}$의 도핑(doping)농도와 $138 cm^2/V{cdot}s$의 이동도(mobility)를 가졌으며, 파장이 365 nm 이하인 빛만을 흡수하는 자외선 감지막 특성을 나타내었다. 5 V의 역방향 전압을 인가하였을 때 제조된 schottky형 자외선 센서는 325 nm의 자외선 파장에서 응답도가 2.84 A/W였고, $4{ imes}10^4$의 큰 신호대 잡음비(SNR)의 $3.5{ imes}10^9$W의 잡음등가전력(NEP)을 나타내었다. 따라서 ... -
보론 도핑에 따른 CdS 박막 및 CdS/CdTe 태양전지 특성
이재형, 이호열, 박용관, Lee. Jae-Hyeong, Lee. Ho-Yeol, Park. Yong-Gwan 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 7 Pages
대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 1999, Vol.48 No.8 563-569 (7 pages)
