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PDP에서의 Ar Gas첨가시 효율 개선 경로에 관한 분석
민병국, 박헌건, 이석현, Min. Byeong-Guk, Park. Heon-Geon, Lee. Seok-Hyeon 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 6 Pages
대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 1999, Vol.48 No.6 483-488 (6 pages)
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대기압 Ar/O2 플라즈마 표면처리된 자동차용 냉연강판의 표면특성 및 접착특성평가
이찬주, 이상곤, 박근환, 김병민, Lee. Chan-Joo, Lee. Sang-Kon, Park. Geun-Hwan, Kim. Byung-Min 대한기계학회 大韓機械學會論文集. Transactions of the Korean Society of mechanical engineers. A. A 8 Pages
대한기계학회 大韓機械學會論文集. Transactions of the Korean Society of mechanical engineers. A. A 2008, Vol.32 No.4 354-361 (8 pages)
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고밀도 유도 결합 플라즈마 장치의 SiH4/O2/Ar 방전에 대한 공간 평균 시뮬레이터 개발
배상현, 권득철, 윤남식, Bae. S.H., Kwon. D.C., Yoon. N.S. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 9 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2008, Vol.17 No.5 426-434 (9 pages)
고밀도 유도결합 플라즈마 장치의 $SiH_4/O_2/Ar$방전에 대한 공간 평균 시뮬레이터를 제작하였다. 제작된 시뮬레이터는 $SiH_4/O_2/Ar$ 플라즈마 방전에서 발생되는 전자, 양이온, 음이온, 중성종, 그리고 활성종들에 대해 공간 평균한 유체 방정식을 기반으로 하고 있으며, 전자가열 모델은 anomalous skin effect를 고려한 파워 흡수 모델을 적용하여 전자가 흡수하는 고주파 파워량을 결정하였다. 완성된 시뮬레이터에서 RF-파워와 압력 변화에 대한 하전입자, 중성종, 활성종들의 밀도 변화 및 전자 온도 의존성을 계산하였다. -
$BCl_3$/Ar 플라즈마에 $Cl_2$ 가스 첨가에 따른 TiN 박막의 식각 특성
엄두승, 우종창, 김동표, 김창일, Um. Doo-Seung, Woo. Jong-Chang, Kim. Dong-Pyo, Kim. Chang-Il 한국전기전자재료학회 전기전자재료 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료 2008, Vol.21 No.12 1051-1056 (6 pages)
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$BCl3-NH3-Ar$계의 플라즈마화학증착공정을 이용한 질화붕소막의 합성
박범수, 백영준, 은광용 한국세라믹학회 요업학회지 8 Pages
한국세라믹학회 요업학회지 1997, Vol.34 No.3 249-256 (8 pages)
nitride)막의 합성시 육방정상(hexagonal phase)과 입방정상(cubic phase)의 생성거동을 관찰하였다. BCl3와 NH3를 붕소와 질소의 공급기체로 선택하였고 Ar과 수소를 carrier기체로 사용하였다. 합성변수로는 플라즈마전원의 전압, 기판의 bias, 합성압력, 기체의 조성, 기판의 온도이었는데, 합성된 박막은 FT-IR결과로부터 육방정과 입방정의 혼합상으로 나타났고, 각 상의 분률은 변수의 크기에 의존하였다. TEM분석결과 육방정으로만 구성된 박막은 비정질상으로 이루어졌으며, 입방정과 육방정의 혼합상의 경우는 비정질기지상에... -
Cl$_2$/Ar 가스 플라즈마에 $O_2$ 첨가에 따른 Pt 식각 특성 연구
김창일, 권광호 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 7 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 1999, No.0 29-35 (7 pages)
probe를 사용하여 이온전류밀도를 Ar/Clsub 2 /Osub 2 가스 플라즈마에서 측정하였다. Osub 2가스 첨가비가 증가할수록 Cl과 Ar species가 급격하게 감소하고 이온전류밀도 역시 감소함을 QMS와 single Langmuir probe로 확인하였다. Pt 식각율의 감소는 Osub 2가스 첨가비가 증가할수록 반응성 species와 이온전류밀도의 감소에 기인함을 의미한다. 150 nm/min의 치대 식각율과 2.5의 산화막식각 선택비가 50 sccm의 Ar/Clsub 2 /Osub 2 가수 유량, 600 W의 RF 전력, 125 V의 dc 바이어스 전압 및 10mTorr의 반응로 압력에서 얻었다. -
자화 유도 결합형 $CH_4/H_2/Ar$ 플라즈마를 이용한 GaN 건식 식각 특성
김문영, 심종경, 태흥식, 이호준, 이용현, 이정희, 백영식, Kim. Mun-Yeong, Sim. Jong-Gyeong, Tae. Heung-Sik, Lee. Ho-Jun, Lee. Yong-Hyeon, Lee. Jeong-Hui, Baek. Yeon 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 7 Pages
대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 2000, Vol.49 No.4 203-209 (7 pages)
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평판 유도 결합형 $CH_4/H_2/Ar$ 플라즈마를 이용한 GaN 건식 식각 특성
김문영, 백영식, 태흥식, 이용현, 이정희, 이호준, Kim. Mun-Yeong, Baek. Yeong-Sik, Tae. Heung-Sik, Lee. Yong-Hyeon, Lee. Jeong-Hui, Lee. Ho-Jun 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 6 Pages
대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 1999, Vol.48 No.9 616-621 (6 pages)
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BCl3/Ar 유도결합 플라즈마 안에 CH4 가스 첨가에 따른 건식 식각된 TaN 박막 표면의 연구
우종창, 최창억, 양우석, 주영희, 강필승, 전윤수, 김창일, Woo. Jong-Chang, Choi. Chang-Auck, Yang. Woo-Seok, Joo. Young-Hee, Kang. Pil-Seung, Chun. Yoon-Soo, Kim. C 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2013, Vol.26 No.5 335-340 (6 pages)


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