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631.

Highly Integrated 3-dimensional NOR Flash Array with Vertical 4-bit SONOS (V4SONOS)

김윤, 윤장근, 조성재, 박병국, Kim. Yoon, Yun. Jang-Gn, Cho. Seong-Jae, Park. Byung-Gook 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2010, Vol.47 No.2 1-6 (6 pages)

김윤, 윤장근, 조성재, 박병국, Kim. Yoon, Yun. Jang-Gn, Cho. Seong-Jae, Park. Byung-Gook 저

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수직형 채널을 가지는 4-비트 SONOS 플래시 메모리를 이용하여, 고집적화된 3차원 형태의 NOR 플래시 메모리 어레이를 제안하였다. 수직형 채널을 가지기 때문에, 집적도의 제한 없이 충분히 긴 채널을 가질 수 있다. 이로 인하여, 짧은 채널의 멀티 비트 메모리에서 발생할 수 있는 비트 간의 간섭효과, 짧은 채널 효과, 및 전하 재분포 현상을 해결 할 수 있다. 또한, 제시된 어레이는 3차원 형태를 기반으로 고집적화되어, 발표된 NOR 중에서 최소의 셀 크기 값인 $1.5F^2$/bit을 가진다.
632.

SOP Image SRAM Buffer용 다양한 데이터 패턴 병렬 테스트 회로

정규호, 유재희, Jeong. Kyu-Ho, You. Jae-Hee 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 11 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2009, Vol.46 No.9 14-24 (11 pages)

정규호, 유재희, Jeong. Kyu-Ho, You. Jae-Hee 저

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System on panel 프레임 버퍼를 위한 메모리 셀 어레이와 주변회로가 설계되었다. 또한, system on panel 공정의 낮은 yield를 극복하기 위해, 블럭 단위의 parallel test 방안이 제안되었다. 기존의 메모리 테스트 보다 빠르게 fault detection이 가능하며, 다양한 embedded memory나 일반 SRAM 테스트 분야에도 적용 가능하다. 또한 기존의 다양한 test vector pattern이 그대로 적용될 수 있어 fault coverage가 높고, 최근의 추세인 hierarchical bit line과 divided word line 구조에도 적용될 수 있다.
633.

H.264 움직임추정에서 고속 2D PE 아키텍처의 메모리대역폭 개선을 위한 4-방향 검색윈도우

고병수, 공진홍, Ko. Byung-Soo, Kong. Jin-Hyeung 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 10 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2009, Vol.46 No.6 6-15 (10 pages)

고병수, 공진홍, Ko. Byung-Soo, Kong. Jin-Hyeung 저

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아키텍처는 절대차분 연산을 위한 $16{ imes}16$의 2D PE어레이와 인접 스캔경로 간 검색윈도우 데이터를 재사용하기 위한 $5{ imes}16$의 RE어레이로 구성되어 있다. 2D PE어레이는 스캔방향에 따라 상/하 양방향으로 참조데이터를 입력받을 수 있으며, 인접한 복수 스캔경로들의 데이터 재사용을 위한 RE 어레이가 2D PE어레이와 함께 좌/우 양방향으로 로테이트가 가능하도록 구성되어 있다. 4방향 검색윈도우는 Magnachip 0.18um공정으로 구현되어 H.264 움직임추정 메모리대역폭을 개선하여 2D PE 아키텍처 사양 참조 프레임...
634.

하이브리드 구조를 갖는 MPEG-4 인코더용 전역 탐색 블록 정합 움직임 추정 회로

심재오, 이선영, 조경순, Shim. Jae-Oh, Lee. Seon-Young, Cho. Kyeong-Soon 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 8 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2009, Vol.46 No.2 85-92 (8 pages)

심재오, 이선영, 조경순, Shim. Jae-Oh, Lee. Seon-Young, Cho. Kyeong-Soon 저

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본 논문은 시스톨릭 어레이와 덧셈기 트리를 조합한 하이브리드 구조를 갖는 MPEG-4 인코더용 전역 탐색 블록 정합 움직임 추정 회로를 제안한다. 제안된 회로는 적은 수의 클럭 싸이클로 움직임 추정을 할 수 있도록 시스톨릭 어레이를 활용하고, 필요한 회로 자원을 줄이기 위해서 덧셈기 트리를 활용한다. 1/2화소 움직임 추정을 위한 보간 회로는 6개의 덧셈기, 4개의 뺄셈기, 10개의 레지스터로 구성하였으며, 자원 공유 및 효율적인 스케줄링 기법을 통하여 성능을 향상시켰다. 정수화소 및 1/2 화소를 위한 움직임 추정 회로를...
635.

CNT 배열을 이용한 bio-sensor SoC 설계

정인영, Chung. In-Young 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 7 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2008, Vol.45 No.12 8-14 (7 pages)

정인영, Chung. In-Young 저

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본 논문에서는 $8{ imes}8$ CNT 센서 어레이를 CMOS 공정 후 처리를 통하여 센서회로가 제작된 CMOS 칩에 집적시켜 측정장비 없이도 자체적으로 감지결과를 출력할 수 있는 센서 칩의 기본적인 플랫폼을 설계 제작한 결과를 보고한다. 센서 소자로는 알루미늄 패드 사이에 연결된 CNT network을 사용하였으며 생화학적 반응에 의하여 전기전도도가 변화하는 것을 감지한다. 표준 CMOS 공정의 감지회로는 CNT network의 저항 값 변동에 의해 ring oscillator의 주파수가 변동하는 것을 감지하는 방식을 사용한다. 제작된 CMOS 센서 칩을...
636.

산화된 다공질 폴리실리콘 전계방출 소자의 픽셀별 구동 및 특성

유성원, 김진의, 최시영, You. Sung-Won, Kim. Jin-Eui, Choi. Sie-Young 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 8 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2007, Vol.44 No.8 8-15 (8 pages)

유성원, 김진의, 최시영, You. Sung-Won, Kim. Jin-Eui, Choi. Sie-Young 저

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방식을 이용해서 소자를 픽셀별로 동작하였고, 상부금속 전극의 어레이에 따른 두께와 폭의 공정조건을 확립하였다. 산화된 다공질 폴리실리콘의 미세 구조를 분석하고, 각각의 픽셀에 따른 전계방출 특성을 조사해 보았다. 상부금속 전극의 두께와 폭에 따른 전자방출 특성을 조사해 본 결과 Ti/pt(2nm/7nm)가 가장 적절한 두께라는 것을 확인 할 수 있었고, 2.5 mm 이상 폭에서 전자방출 효율이 증가하는 모습을 확인 할 수 있었다. 각 픽셀에 따른 소자의 전기적 특성은 픽셀마다 조금씩의 차이는 있지만 거의 동일한 누설 전류와 방출...
637.

고주파 응용을 위한 AB급 바이폴라 선형 트랜스컨덕터들의 설계

정원섭, 손상희, Chung. Won-Sup, Son. Sang-Hee 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 7 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2007, Vol.44 No.8 1-7 (7 pages)

정원섭, 손상희, Chung. Won-Sup, Son. Sang-Hee 저

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전압 폴로워, 저항기, 그리고 전류 폴로워로 구성된다. 폴로워 회로들은 트랜스리니어 셀들로 실현되기도 하고, 단위-이득 버퍼들로 실현되기도 한다. 제안된 트랜스컨덕터들은 8 GHz 바이폴라 트랜지스터-어레이 파라미터를 이용하여 SPICE 시뮬레이션 되었다. 시뮬레이션 결과는, 트랜스리니어 셀들을 이용한 트랜스컨덕터가 단위-이득 버퍼들을 이용한 그것보다 더 좋은 선형성을 가지는데 반해, 후자는 전자보다 더 좋은 온도 특성과 더 높은 입력 저항을 가진다는 것을 보여준다. 제안된 트랜스컨덕터들의 실용성을 검증하기 위하여,...
638.

초미세 CMOS 공정에서의 스위칭 및 누설전력 억제 SRAM 설계

최훈대, 민경식, Choi. Hoon-Dae, Min. Kyeong-Sik 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 12 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2006, Vol.43 No.3 21-32 (12 pages)

최훈대, 민경식, Choi. Hoon-Dae, Min. Kyeong-Sik 저

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셀 어레이의 누설전류를 1/100 까지 감소시킬 수 있다. 또한 누설전류를 억제하기 위해 사용된 소스라인 드라이버를 이용하여 SRAM의 쓰기동작에서 비트라인 전압의 스윙 폭을 $V_{DD}-to-V_{SSH}$로 감소시킴으로써 SRAM의 write power를 대폭 감소시킬 수 있고 쓰기동작 중에 있는 셀들의 누설 전류 소비도 동시에 줄일 수 있다. 이를 위해 새로운 write driver를 사용하여 low-swing 쓰기동작 시 성능 감소를 최소화하였다. 누설전력 소비 감소 기법과 스위칭 전력 소비 감소 기법을 동시에 사용함으로써 제안된 SRAM은 특히 미래의 큰...
639.

순차적 SMT Processor를 위한 Scoreboard Array와 포트 중재 모듈의 구현

허창용, 홍인표, 이용석, Heo. Chang-Yong, Hong. In-Pyo, Lee. Yong-Surk 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 12 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2004, Vol.41 No.6 59-70 (12 pages)

허창용, 홍인표, 이용석, Heo. Chang-Yong, Hong. In-Pyo, Lee. Yong-Surk 저

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명령어들 간의 흐름을 제어해서, 그러한 명령어들 사이에서 충돌이 일어나지 않도록 해야 하지만, 이러한 사실로 인해 SMT 프로세서의 이슈 로직은 매우 복잡해지게 된다. 따라서, 본 논문에서 제안된 SMT 구조는 순차적 이슈와 완료 방식을 채택하여, 복잡한 레지스터 리네이밍이나 재순차 버퍼 등을 사용할 필요가 없이 비교적 간단한 스코어보드 어레이만을 사용하는 이슈 구조를 사용할 수 있게 하였다, 그러나, 여전히 SMT용 스코어보드 구조는 일반적인 단일 쓰레드의 범용 프로세서의 경우보다는 훨씬 더 복잡하고 많은 비용이...
640.

새로운 DCME 알고리즘을 사용한 고속 Reed-Solomon 복호기

백재현, 선우명훈 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 10 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2003, Vol.40 No.6 459-468 (10 pages)

백재현, 선우명훈 저

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본 논문에서는 차수 연산이 필요 없는 새로운 DCME 알고리즘 (Degree Computationless Modified Euclid´s Algorithm)을 사용한 저비용 고속 RS (Reed-Solomon) 복호기를 제안한다. 제안하는 구조는 차수 연산 및 비교 회로가 필요 없어 기존 수정 유클리드 구조들에 비해 매우 낮은 하드웨어 복잡도를 갖는다. 시스톨릭 에레이 (systolic array)를 이용한 제안하는 구조는 키 방정식 (key equation) 연산을 위해서 초기 지연 없이 2t 클록 사이클만을 필요로 한다. 또한, 3t＋2개의 기본 셀 (basic cell)을 사용하는 DCME 구조는 오직...

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