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Cl2CF4/Ar 유도결합 플라즈마에 의해 식각된 SBT 박막의 표면 손상
김동표, 김창일, 이철인, 김태형, 이원재, 유병곤 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2002, Vol.15 No.7 570-575 (6 pages)
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$CF_4$/Ar 플라즈마 내 $Cl_2$첨가에 의한 $SrBi_{2}Ta_{2}O_{9}$ 박막의 식각 특성
김동표, 김창일, 이원재, 유병곤, 김태형, 장의구 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2001, Vol.14 No.9 714-719 (6 pages)
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$BCI_3/H_2/Ar$ 유도결합 플라즈마를 이용한 GaN의 건식 식각에 관한 연구
김성대, 정석용, 이병택, 허증수, Kim. Sung-Dae, Jung. Seog-Yong, Lee. Byung-Taek, Huh. Jeung-Soo 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2000, Vol.10 No.3 179-183 (5 pages)
$BCI_3/H_2/Ar$ ICP(Inductively Coupled Plasma)를 이용한 GaN이 건식식각에 있어서 공정변수들이 식각 특성에 미치는 영향을 분석하고 적정조건을 도출하였다. 연구 결과 식각속도와 측벽수직도 공히 ICP 전력, bias 전압과 $BCI_3$ 조성의 증가, 공정압력의 감소에 의해 현저히 증가하며, 온도의 증가에 따라 다소간 증가하였고, 온도의 증가에 따라 다소간 증가하였고, $BCI_3$조성이 가장 큰 영향을 미쳤다. 표면거칠기는 bias 전압 증가에 의해 크게 향상, $BCI_3$ 조성의 감소에 따라 향상되었으며 다른 변수는 큰 영향을 미치지... -
유도결합 C1$_2$/CF$_4$/Ar 플라즈마를 이용한 CeO$_2$ 박막 식각후 표면반응
이병기, 김남훈, 장윤성, 김경섭, 김창일, 장의구 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 5 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 2002, Vol.9 No.2 27-31 (5 pages)
식각장비에서 700 W의 RF전력과 -200 vo1t의 dc 바이어스 전압 및 15 mTorr의 반응로 압력에서 $Ar/CF_2$ 혼합가스에 $C1_2$가스를 첨가하면서 $CeO_2$ 박막을 식각하였다 최대식각 속도는 10%의 $C1_2$ 가스를 첨가하였을 시에 250 $AA$/min이었고, 이 조건에서 SBT에 대한 식각 선택비는 0.4이었다. XPS를 이용하여 식각된 $CeO_2$ 박막의 표면반응을 검토하였다. Ce 피크는 대부분 $CeO_2$또는 $Ce_2O_3$형태로 Ce-O 결합상태임을 관찰할 수 있었다. 대부분의 Cl 피크는 CeClx 또는 $Ce_x/O_yCl_z$ 형태로 Ce 원자와 결합하고 있었다 -
사중극자 질량 분석기를 이용한 $BCl_3/Ar$ 유도결합 플라즈마 특성 진단
김관하, 김창일, Kim. Gwan-Ha, Chang-Il. Chang-Il 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 5 Pages
대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 2006, Vol.55 No.4 204-208 (5 pages)
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ICP 광원 시스템의 Ne:Xe 및 Ne:Ar 혼합가스의 전자온도 및 전자밀도 특성
이종찬, 최용성, 박대희, 최기승, Lee. Jong-Chan, Choi. Yong-Sung, Park. Dae-Hee, Choi. Gi-Seung 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 5 Pages
대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 2006, Vol.55 No.3 156-160 (5 pages)
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평판 유도 결합형 $CH_4/H_2/Ar$ 플라즈마를 이용한 GaN 건식 식각에서 공정변수가 저항성 접촉 형성에 미치는 영향
김문영, 태흥식, 이호준, 이용현, 이정희, 백영식, Kim. Mun-Yeong, Tae. Heung-Sik, Lee. Ho-Jun, Lee. Yong-Hyeon, Lee. Jeong-Hui, Baek. Yeong-Sik 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 7 Pages
대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 2000, Vol.49 No.8 438-444 (7 pages)
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$Ar/CF_4$ 고밀도 플라즈마에서 $(Ba, Sr)TiO_3$ 박막의 식각 메카니즘
김승범, 김창일, Kim. Seung-Beom, Kim. Chang-Il 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 5 Pages
대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 2000, Vol.49 No.5 265-269 (5 pages)
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BCl3/Ar 플라즈마에 Cl2 가스 첨가에 따른 TiN 박막의 식각 특성
엄두승, 우종창, 김동표, 김창일, Um. Doo-Seung, Woo. Jong-Chang, Kim. Dong-Pyo, Kim. Chang-Il 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2008, Vol.21 No.12 1051-1056 (6 pages)
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$CF_4$/Ar 가스 플라즈마를 이용한 $YMnO_3$ 박막의 식각 반응연구
김동표, 김창일, 이철인 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2001, Vol.14 No.12 959-964 (6 pages)