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ITO/Glass 기판위에 PFO-poss 유기 발광층을 가지는 고분자 발광다이오드의 제작
유재혁, 장호정, Yoo. Jae-Hyouk, Chang. Ho-Jung 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 6 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 2006, Vol.13 No.4 51-56 (6 pages)
capped with poss]를 사용하여 ITO/PEDOT:PSS/PVK/PFO-poss/LiF/Al 구조의 고분자 발광다이오드를 제작하였다. 이때 스핀코팅을 위한 발광 유기재료의 농도와 열처리 온도가 소자의 전기적, 광학적 특성에 미치는 영향을 조사하였다. 동일한 PFO-poss 농도에서 열처리 온도가 $100^{circ}C$에서 $200^{circ}C$로 증가할 경우 PLED 소자의 전류밀도와 휘도특성이 증가하는 경향을 나타내었다. 1.0 wt% 농도를 갖는 PFO-poss 유기물 발광충을 $200^{circ}C$ 온도로 열처리 할 경우 $958;cd/m^{2}$의 최대 휘도를 나타내었으며 발광파장은 ... -
Sq가 도핑된 Alq3 유기 박막의 발광 특성
박종관, 김형권, 김종택, 육재호 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TE, 전문기술교육 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TE, 전문기술교육 2000, Vol.37 No.5 1-6 (6 pages)
얻기 위하여 진공증착법으로 스쿠아릴늄 색소(Sq)를 첨부한 알루미늄퀴롤린착체 (Alq3)를 발광층으로 사용하는 유기발광소자를 제작하였으며, 소자의 발광특성 및 전기적 특성을 조사하였다. 스쿠아릴늄의 발광 피이크 파장은 670㎚이고 발광강도가 절반이 되는 파장 폭은 30㎚이었다. 스쿠아릴늄의 적색발광은 도핑 농도가 15㏖% 이상에서 고순도 적색 발광특성이 관측되었지만, EL효율은 10-2W 이하이고 휘도는 0.21cd/㎡, 0.1cd/㎡ 정도로 매우 낮았다. 스쿠아릴늄 분자가 Alq3 분자 내에 트랩 된다고 하더라도 도핑농도가 5㏖% 이상인... -
가변입사각 분광타원 법을 이용한 유기 발광 박막의 광학상수 및 두께 결정
김상열, 류장위, 김동현, 정혜인 한국광학회 한국광학회지 7 Pages
한국광학회 한국광학회지 2001, Vol.12 No.6 472-478 (7 pages)
분광타원법(Variable Angle Spectroscopic Ellipsometry)을 사용하여 유기발광소자(OLED)의 발광층인 유기박막 의 광학상수와 두께를 결정하였다. 광투과영역에서 모델링분석으로 박막의 평균두께와 굴절률 분산식을 결정하고, 광흡수영역으로 확장하여 유기막의 다층구조, 각 층의 두께와 밀도 그리고 각 파장에서의 복소굴절률을 결정하였다. 분광광도계를 사용하여 구한 투과율 스펙트럼을 가변입사각 분광타원법을 사용하여 결정한 다층구조 및 복소굴절률로 계산한 투과율 스펙트럼과 비교하여 분석의 정확성을 확인하였다. -
개선된 적색 형광색소의 합성과 유기 EL 소자적용 특성분석
한기종, 계광열, Han. Ki-Jong, Kay. Kwang-Yol 대한화학회 대한화학회지 6 Pages
대한화학회 대한화학회지 2005, Vol.49 No.2 233-238 (6 pages)
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Indium tin oxide 기판의 표면처리에 따른 유기 발광다이오드의 특성
김선혁, 한정환, Kim. Sun-Hyuk, Han. Jeong-Whan 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 10 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2002, Vol.39 No.9 1-10 (10 pages)
유기 발광 다이오드를 위한 indium oxide (ITO) 기판을 여러 가지로 방법으로 표면처리를 하고, 이에 따른 atomic force microscopy (AFM)에 의한 morphology의 변화와 표면에서 변화된 원소들의 조성비를 Auger electron spectroscopy (AES)분석에 의하여 조사하였다. 또한 이 기판을 사용하여 초고진공분자선 증착방법에 의하여 유기 발광다이오드를 제작하고 그 특성을 조사하였다. 그 결과 산소플라즈마으로 표면 처리한 ITO 기판 위에 제조된 organic light-emitting diode (OLED)소자의 특성이 향상되었다. 그것은 AES의 분석에... -
저일함수 금속 아세트산 화합물 층을 사용한 유기발광다이오드의 전기발광 특성 향상
김만수, 류근채, 김영철, Kim. Mansu, Yu. Geun-Chae, Kim. Young Chul 한국화학공학회 Korean chemical engineering research 6 Pages
한국화학공학회 Korean chemical engineering research 2013, Vol.51 No.5 634-639 (6 pages)
유기발광다이오드(Organic Light-Emitting Diodes, OLEDs)의 효율을 향상시키기 위하여 다양한 아세트산금속(Macetate, M: Li, Na, K, Cs)을 cathode underlayer 소재로 사용하고 이들이 소자의 전자주입 및 발광 특성에 미치는 영향에 대하여 연구하였다. 1 nm 두께의 M-acetate 층을 cathode underlayer로 사용한 경우 Cs-acetate를 사용한 소자를 제외한 모든 소자에서 기존의 LiF 전자주입층을 사용한 소자보다 효율적인 전자주입 및 향상된 발광특성을 보였으며, M-acetate에 포함된 금속의 일함수가 작을수록 높은 전류밀도와... -
정공 주입층 및 수송층에 따른 고분자 유기발광다이오드의 특성 연구
신상배, 장호정, Shin. Sang-Baie, Chang. Ho-Jung 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 6 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 2007, Vol.14 No.4 37-42 (6 pages)
본 연구에서는 ITO/PEDOT:PSS/PFO:MEH-PPV/LiF/Al의 구조를 갖는 고분자 유기발광다이오드를 제작하여 정공 주입층으로 사용되는 PEDOT:PSS의 두께 변화와 PVK 정공 수송층을 도입하여 ITO/PEDOT:PSS/PVK/PFO:MEH-PPV/LiF/Al 구조를 갖는 고분자 유기발광 다이오드를 제작하여 정공수송층이 유기발광다이오드의 전기 광학적 특성에 미치는 영향에 대하여 조사, 비교하였다. 실험에 사용된 모든 유기물은 플라즈마 처리된 ITO/glass 기판위에 스핀 코팅법으로 도포하였다. 정공 주입층인 PEDOT:PSS 두께를 약 80 nm에서 50 nm로 감소한... -
ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Al 구조에서 MEH-PPV 농도에 따른 유기발광다이오드의 전기$cdot$광학적 특성
공수철, 백인재, 유재혁, 임현승, 장호정, 장지근, Gong. Su Cheol, Back. In Jea, Yoo. Jae Hyouk, Lim. Hun Seung, Chang. Ho Jung, Chang. Gee Keun 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 5 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 2005, Vol.12 No.2 155-159 (5 pages)
패턴화된 ITO/Glass 기판위에 정공수송층으로 PEDOT:PSS (poly(3,4-ethylenedioxythi-ophene)poly (styerne sulfolnate))를 발광층으로 MEH-PPV (poly(2-methoxy-5-(2-ethyhexoxy)-1,4-phenylenvinylene))을 사용하여 스핀코팅법으로 ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Al 구조의 고분자 유기전계 발광소자 (polymer light emitting diode, PLED)를 제작하였다. MEH-PPV 용액의 농도(0.1, 0.3, 0.5, 0.7, 0.9, 1.5 wt$\%$)변화를 변수로 하여 제작된 PLED소자의 전기$cdot$광학적 특성 변화를 조사하였다. MEH-PPV의 농도가 $0.5{~}0.9 wt\%$에서... -
다층구조 OLED소자의 발광특성
최영일, 조수영, Chol. Young-Il, Cho. Su-Young 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the institute of electronics engineers of Korea. IE. 산업전자 5 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the institute of electronics engineers of Korea. IE. 산업전자 2011, Vol.48 No.4 25-29 (5 pages)
유기 EL소자는 제작이 쉽고 휘도가 높아 CRT와 LED 대신 평판 디스플레이 패널의 광원으로써 많이 연구되어 지고 있으며, OLED 소자중 청색 OLED는 풀컬러 적용 어플리케이션에 적용할 수 있기 때문에 이에 대한 연구가 이루어 지고 있다. 본 연구에서는, 발광 소재로 PBD, Alq3를 사용하여 유기 EL 디바이스의 전기 발광 특성을 측정하였으며, 전류와 휘도는 전압과의 관계에서 알 수 있었고 휘도와 전류의 관계를 제시하였다. -
유기금속화학기상증착법을 이용한 적층 InAs 양자점 적외선 수광소자 성장 및 특성 평가 연구
김정섭, 하승규, 양창재, 이재열, 박세훈, 최원준, 윤의준, Kim. Jung-Sub, Ha. Seung-Kyu, Yang. Chang-Jae, Lee. Jae-Yel, Park. Se-Hun, Choi. Won-Jun, Yoon. Eui-Joon 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2010, Vol.19 No.3 217-223 (7 pages)
유기금속화학기상증착법으로 적층 InAs/$In_{0.1}Ga_{0.9}As$ DWELL (dot-in-a-well) 구조를 성장하여 n-i-n 구조의 적외선 수광소자를 제작하였으며, PL (photoluminescence) 발광 특성 및 암전류 특성을 분석하였다. 동일한 조건으로 양자점을 적층하였을 때 크기 및 밀도의 변화에 의한 이중 PL peak을 관찰하였으며, TMIn의 유량을 조절함으로써 단일 peak을 갖는 균일한 크기의 양자점 적층 구조를 성장할 수 있었다. 적외선 수광소자 구조를 성장함에 있어서, 상부의 n-형 GaAs의 성장 온도가 600도 이상인 경우 PL 발광 세기가...