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$BCl_3/Cl_2/Ar$ 고밀도 플라즈마에 의한 $(Ba, Sr)TiO_3$ 박막의 식각 메커니즘 연구
김승범, 김창일, Kim. Seung-Bum, Kim. Chang-Il 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 7 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2000, Vol.37 No.11 18-24 (7 pages)
$BCl_3/Cl_2/Ar$ 플라즈마로 (Ba,Sr)$TiO_3$ 박막을 식각하였다. 이때 RF power/dc bias voltage는 600W/-250V, 반응로의 압력은 10mTorr 이었다. $Cl_2/(Cl_2+Ar)$은 0.2로 고정하였고, $BCl_3$ 가스를 첨가하면서 (Ba,Sr)$TiO_3$ 박막을 식각하였다. $BCl_3$ 가스를 10% 첨가하였을 때, $480{AA}/min$으로 (Ba,Sr)$TiO_3$ 박막은 가장 높은 식각 속도를 나타내었다. $Cl_2/Ar$가스에 $BCl_3$의 첨가 비에 따른 Cl, BCl 및 B의 라디칼 밀도를 optical emission spectroscopy(OES)에 의해 구하였다. $BCl_3$를 10% 첨가하였을 때 Cl의... -
$BCl_3/O_2/Ar$ 유도결합 플라즈마를 이용한 InP의 건식 식각에 관한 연구
이병택, 박철희, 김성대, 김호성 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1999, Vol.8 541-547 (7 pages)
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Model-Based Analysis of the $ZrO_2$ Etching Mechanism in Inductively Coupled $BCl_3$/Ar and $BCl_3/CHF_3$/Ar Plasmas
Kim. Man-Su, Min. Nam-Ki, Yun. Sun-Jin, Lee. Hyun-Woo, Efremov. Alexander M., Kwon. Kwang-Ho 한국전자통신연구원 ETRI journal 11 Pages
한국전자통신연구원 ETRI journal 2008, Vol.30 No.3 383-393 (11 pages)
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$BCl_3$/Ar 플라즈마에 $Cl_2$ 가스 첨가에 따른 TiN 박막의 식각 특성
엄두승, 우종창, 김동표, 김창일, Um. Doo-Seung, Woo. Jong-Chang, Kim. Dong-Pyo, Kim. Chang-Il 한국전기전자재료학회 전기전자재료 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료 2008, Vol.21 No.12 1051-1056 (6 pages)
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$BCl_3/Ar$ 유도 결합 플라즈마를 이용한 ZnO 박막의 식각 특성
우종창, 김관하, 김경태, 김종규, 강찬민, 김창일, Woo. Jong-Chang, Kim. Gwan-Ha, Kim. Kyoung-Tae, Kim. Jong-Gyu, Kang. Chan-Min, Kim. Chang-Il 대한전기학회 전기학회논문지= The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers 5 Pages
대한전기학회 전기학회논문지= The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers 2007, Vol.56 No.3 566-570 (5 pages)
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$BCl_3/Ar$ 유도 결합 플라즈마 시스템에서 이온 에너지 분포에 따른 $HfO_2$ 박막의 식각
김관하, 김경태, 김종규, 우종창, 강찬민, 김창일, Kim. Gwan-Ha, Kim. Kyoung-Tae, Kim. Jong-Gyu, Woo. Jong-Chang, Kang. Chan-Min, Kim. Chang-Il 대한전기학회 전기학회논문지= The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers 6 Pages
대한전기학회 전기학회논문지= The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers 2007, Vol.56 No.2 349-354 (6 pages)
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사중극자 질량 분석기를 이용한 $BCl_3/Ar$ 유도결합 플라즈마 특성 진단
김관하, 김창일, Kim. Gwan-Ha, Chang-Il. Chang-Il 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 5 Pages
대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 2006, Vol.55 No.4 204-208 (5 pages)
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BCl$_3$ 기반 가스를 이용한 GaAs의 고밀도 평판형 유도결합 플라즈마 식각
임완태, 백인규, 유승열, 이제원, 조관식, 전민현 한국표면공학회 한국표면공학회지 5 Pages
한국표면공학회 한국표면공학회지 2003, Vol.36 No.5 418-422 (5 pages)
coupled plasma etcher)를 이용하여 각종 공정조건들에 따른 GaAs의 식각특성을 연구하였다. 공정변수들은 ICP 소스파워(0-500 W), RIE 척파워(0-150 W), 가스 종류($BCl_3$, $BCl_3$/Ar, $BCl_3$/Ne) 및 가스혼합비였다. $BCl_3$ 가스만을 이용하여 GaAs를 식각한 경우보다 25%의 Ar이나 Ne같은 불활성 기체를 혼합한 $15BCl_3$/5Ar, $15BCl_3$/5Ne 가스를 이용한 경우의 식각률이 더 우수한 것을 확인하였다. 그리고 50% 이하의 Ar이 혼합된 $BCl_3$/Ar의 경우는 높은 식각률 (＞4,000 $AA$/min)과 평탄한 표면(RMS roughness : ＜2... -
평판형 고밀도 유도결합 B$Cl_3$ 플라즈마를 이용한 AlGaAs와 InGaP의 건식식각
백인규, 임완태, 유승열, 이제원, 전민현, 박원욱, 조관식 한국표면공학회 한국표면공학회지 5 Pages
한국표면공학회 한국표면공학회지 2003, Vol.36 No.4 334-338 (5 pages)
$BCl_3$고밀도 평판형 유도결합 플라즈마(High Density Planar Inductively Coupled Plasma)를 이용하여 AlGaAs와 InGaP의 건식식각에 대하여 연구하였다. 본 실험에서는 ICP 소스파워(0∼500 W), RIE 척 파워(0-150 W), 공정압력(5∼15 mTorr)의 변화에 따른 AlGaAs와 InGaP의 식각률, 식각단면 그리고 표면 거칠기 등을 분석 하였다. 또, 공정 중 OES(Optical Emission Spectroscopy)를 이용하여 in-situ로 플라즈마를 관찰하였다. $BCl_3$ 유도결합 플라즈마를 이용한 AlGaAs의 식각결과는 우수한 수직측벽도와(>87$^{circ}$)... -
백서 심근 허혈 모델에서 angiotension $AT_1$수용체 차단제의 재관류 손상 감소 효과
최준영, 최동주, 안혁 대한흉부외과학회 大韓胸部外科學會誌 9 Pages
대한흉부외과학회 大韓胸部外科學會誌 2001, Vol.34 No.3 203-211 (9 pages)
배경: AT$_1$수용체의 길항제가 세포 수준에서 심근을 재관류 손사으로부터 보호할수 있다는 것으로 알려져 있지만, 생체내에서의 효과나 그 기전은 아직 명확히 밝혀지지 않았다. 본 연구에서는 백서 심근 허혈 모델을 이용하여, AT$_1$ 수용체의 길항제들 중 하나인 irbesartan이 심근이 재관휴 손상에 미치는 효과를 알아보고, 재관류 손상을 매개하는 한 각지 기전으로서 세포자멸의 기여에 대하여 연구하고자 하였다. 대상 및 방법: Sprague-Dawley 백서에서 무작용 부형약(10% gum arabic: 1군, 개체수=14관)...