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- 센서학회지(6)
- 대한기계학회론문집. TRANSACTIONS OF THE KOREAN SOCIETY OF MECHANICAL ENGINEERS. A. A(2)
- 전기전자재료학회논문지(2)
- THE JOURNAL OF THE ACOUSTICAL SOCIETY OF KOREA(1)
- 전기전자재료학회지= THE JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONIC MATERIAL ENGINEERS(1)
- 한국결정성장학회지(1)
- 한국인터넷방송통신학회 논문지(1)
- 한국진공학회지(1)
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고온용 세라믹 박막형 압력센서의 제작과 그 특성
정귀상 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2003, Vol.16 No.9 790-794 (5 pages)
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과부하 방지용 마이크로머시닝 세라믹 박막형 압력센서의 제작과 그 특성
김재민, 정귀상, Kim. Jae-Min, Chung. Gwiy-Sang 한국센서학회 센서학회지 6 Pages
한국센서학회 센서학회지 2003, Vol.12 No.5 199-204 (6 pages)
이용한 극한 환경용 세라믹 박막형 압력센서의 제작 및 특성에 관하여 연구하였다. 압력감지부로 Ta-N 스트레인게이지를 사용하였으며, SDB(Si-wafer Direct Bonding)와 전기화학적 식각정지법을 이용하여 매몰 cavity를 가지는 저가격 고수율의 Si 박막 다이어프램을 제작하였다. 또한, 실리콘 박막 다이어프램상에 박막형 스트레인게이지를 형성하여 세라믹 박막형 압력센서를 제작하였다. 제작된 세라믹 박막형 압력 센서는 기존의 스트레인 게이지를 이용한 로드셀에 비해서 온도특성이 우수하고 재현성, 소형화, 집적화 및... -
유전체 박막을 이용한 다이아프램형 광섬유 Fabry-Perot 간섭계 압력센서의 특성
김명규, 유양욱, 권대혁, 이정희, 김진섭, 박재희, 채용웅, 손병기, Kim. M.G., Yoo. Y.W., Kwon. D.H., Lee. J.H., Kim. J.S., Park. J.H., Chai. Y.Y., Sohn. B.K. 한국센서학회 센서학회지 7 Pages
한국센서학회 센서학회지 1998, Vol.7 No.3 147-153 (7 pages)
$Si_{3}N_{4}/SiO_{2}/Si_{3}N_{4}$(N/O/N) 다이아프램과 결합된 고감도의 광섬유 Fabry-Peort 압력센서를 개발하여 스트레인 및 그 응답특성을 조사하였다. 먼저, 44 wt% KOH 수용액을 이용한 실리콘 이방성식각기술로 600 nm 두께의 N/O/N 다이아프램을 제조하였으며, 제조된 다이아프램과 광섬유 Fabry-Perot 간섭계를 결합하여 광섬유 압력센서를 구성하였다. 단일모드 광섬유(SMF)내에 $TiO_{2}$ 유전체 박막을 용융접합하여 공극의 길이가 약 2 cm인 광섬유 Fabry-Perot 간섭계를 제작하였다. 광섬유 Fabry-Perot 간섭계의 한쪽... -
광학적 신호감지의 유전박막 다이아프레임을 이용하는 압력센서
김명규, 유양욱, 박동수, 김진섭, 이정희, 손병기, Kim. Myung-Gyoo, Ryu. Yang-Woog, Park. Dong-Soo, Kim. Jin-Sup, Lee. Jung-Hee, Sohn. Byung-Ki 한국센서학회 센서학회지 7 Pages
한국센서학회 센서학회지 1996, Vol.5 No.4 1-7 (7 pages)
nm-$SiO_{2}$/150 nm-$Si_{3}N_{4}$ 다이아프레임을 실리콘 기판위에 형성하고, 이것과 광섬유를 결합하여 광강도형 압력센서를 제작하였다. 센서의 광원에서 사용하는 파장인 $1.3;{mu}m$ 근방에서 다이아프레임의 광투과도는 약 50 %였으나, 다이아프레임에 약 $1,000;{AA}$의 금(Au)을 증착하여 다이아프레임의 광투과도를 수 %정도로 감소시킬 수 있어서 이 다이아프레임을 센서의 광반사막으로 사용할 수 있었다. 다이아프레임의 크기를 $3{ imes}3;mm^{2}$, $4{ imes}4;mm^{2}$ 및 $5{ imes}5;mm^{2}$로 각각 변화시켜 제작한... -
압력센서용 Boron이 첨가된 다결정 Silicom 박막의 제조
유광수, 신광선 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 7 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 1993, Vol.3 No.1 59-65 (7 pages)
저항가열식 고진공증착기를 이용하여 압력센서로 사용될 수 있는 boron이 첨가된 다결정 silicon 박막이 제조되었다. 다결정 silicon 박막은 여러온도에서 quartz 기판위에 증착되었으며, boron은 BN 웨이퍼를 사용하여 확산로에서 doping하였다. $500^{circ}C$의 기판온도에서 증착된 silicon 박막은 비정질이었으며, $600^{circ}C$에서 결정을 보이기 시작하였고, $700^{circ}C$에서 다결정이 되었다. $900^{circ}C$에서 10분동안 boron을 dopion한 후, 박막의 비저항은 $0.1{Omega}cm~1.5{Omega}cm$의 범위에 있었으며, boron... -
스테인리스 강 박막 및 기판을 이용한 배열형 정전용량 압력센서의 전기 기계적 특성연구
이흥식, 장성필, 조종두, Lee. Heung-Shik, Chang. Sung-Pil, Cho. Chong-Du 대한기계학회 大韓機械學會論文集. Transactions of the Korean Society of mechanical engineers. A. A 7 Pages
대한기계학회 大韓機械學會論文集. Transactions of the Korean Society of mechanical engineers. A. A 2006, Vol.30 No.11 1369-1375 (7 pages)
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압력센서의 배선을 위한 다층 박막의 지지조건 변화에 따른 잔류응력 평가
심재준, 한동섭, 한근조, Shim. Jae-Joon, Han. Geun-Jo, Han. Dong-Seup 대한기계학회 大韓機械學會論文集. Transactions of the Korean Society of mechanical engineers. A. A 7 Pages
대한기계학회 大韓機械學會論文集. Transactions of the Korean Society of mechanical engineers. A. A 2004, Vol.28 No.5 532-538 (7 pages)
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고압용 코롬질화박막형 압력센서의 제작과 그 특성
정귀상, 최성규, 서정환, 류지구 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2001, Vol.14 No.6 470-474 (5 pages)
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Cu-Ni 박막 스트레인 게이지를 이용한 다이어프램식 압력 센서-II:압력 센서의 설계 제작의 특성
민남기, 전재형, 박찬원 한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 7 Pages
한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1997, Vol.10 No.10 1022-1028 (7 pages)
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압전체 PZT 박막을 이용한 FET형 압력 센서의 제작과 그 특성
김영진, 이영철, 권대혁, 손병기, Kim. Young-Jin, Lee. Young-Chul, Kwon. Dae-Hyuk, Sohn. Byung-Ki 한국센서학회 센서학회지 7 Pages
한국센서학회 센서학회지 2001, Vol.10 No.3 173-179 (7 pages)
현재 사용되어지는 반도체형 압력센서에는 압저항형과 용량형이 있다. 특히 반도체 마이크로 압력센서는 크기도 작고 신호처리회로를 동일칩 위에 집적화 할 수 있어 많은 관심을 모아왔다. 그러나 이러한 형태의 센서들은 제조공정이 복잡해서 생산성이 낮다. 기존의 센서들이 가지는 단점들을 극복하기 위해 새로운 형태의 FET형 압력센서(PSFET : pressure sensitive field effect transistor)를 제안하고 그 동작특성을 조사하였다. 압력 감지 물질은 PZT(Pb(Zr,Ti)$O_3$)를 사용하였다. RF 마그네트론 스퍼터링법을 사용하여...


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