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Precise Comparison of Two-dimensional Dopant Profiles Measured by Low-voltage Scanning Electron Microscopy and Electron Holography Techniques
Hyun. Moon-Seop, Yoo. Jung-Ho, Kwak. Noh-Yeal, Kim. Won, Rhee. Choong-Kyun, Yang. Jun-Mo 한국현미경학회 Applied microscopy 6 Pages
한국현미경학회 Applied microscopy 2012, Vol.42 No.3 158-163 (6 pages)
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Dopant-Activation and Damage-Recovery of Ion-Shower-Doped Poly-Si through $PH_3/H_2$ after Furnace Annealing
Kim. Dong-Min, Kim. Dae-Sup, Ro. Jae-Sang, Choi. Kyu-Hwan, Lee. Ki-Yong 한국정보디스플레이학회 Journal of information display 6 Pages
한국정보디스플레이학회 Journal of information display 2004, Vol.5 No.1 1-6 (6 pages)
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Li Dopant가 ZnO 세라믹스의 전기적 특성과 미세 구조에 미치는 영향
전민철, 고중혁, Jun. Min-Chul, Koh. Jung-Hyuk 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 4 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2012, Vol.25 No.4 282-285 (4 pages)
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Ti glue layer, Boron dopant, N2plasma 처리들이 Cu와 low-k 접착력에 미치는 효과
이섭, 이재갑, Lee. Seob, Lee. Jae-gab 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2003, Vol.13 No.5 338-342 (5 pages)
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Co/metal/Si 이중층 구조의 실리사이드화 열처리에 따른 dopant의 재분포
이종무, 권영재, 이수천, 강호규, 배대록, 신광수, 이도형, Lee. Jong-Mu, Gwon. Yeong-Jae, Lee. Su-Cheon, Gang. Ho-Gyu, Bae. Dae-Rok, Sin. Gwang-Su, Lee. Do-Hyeong 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1998, Vol.8 No.3 189-194 (6 pages)
SIMS를 사용하여 Co/metal 이중층 구조의 실리사이드화 열처리시 발생하는 기판내 도펀트의 재분포 거동에 대하여 조사하였다. Co실리사이드화 반응의 중간층으로는 Ti, Nb, 또는 Hf를 사용하였고, 여러 도펀트들 중 실리사이드 내에서의 확산속도가 특히 빠른 B에 대하여 조사하였다. Co/Ti과 co/Nb의 경우 열처리후 B피크의 높이는 1 order 정도 낮아지지만 표면으로부터의 주피크의 상대적인 위치는 열처리전과 동일하였다. B의 분포양상은 Ti 및 Nb의 그것과 일치하는데, 이것은 B와 Ti 및 Nb간의 친화력이 크기 때문이다. Co/Hf의... -
Dopant가 주입된 poly-Si 기판에서 Ta-silicides의 형성 및 dopant 의 거동에 관한 연구
최진석, 조현춘, 황유상, 고철기, 백수현, Choi. Jin-Seok, Cho. Hyun-Choon, Hwang. Yu-Sang, Ko. Chul-Gi, Paek. Su-Hyon 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1991, Vol.1 No.2 99-104 (6 pages)
Ta-silicide의 게이트 전극 및 비트라인(bit line)으로의 사용가능성을 알아보기 위하여 As, P, $BF_2$가 $5{ imes}10^15cm^-2$의 농도로 이온주입된 다결정 실리콘에 탄탈륨을 스퍼터링으로 증착한 후 급속 열처리로 Ta-silicide를 형성하였다. 형성된 Ta-silicide의 특성은 4-탐침법, X-rayghlwjf, SEM 단면사진과 ${alpha}$-step으로 조사하였으며, 불순물들의 거동은 Secondary Ion Mass Spectroscopy(SIMS)로 알아보았다. $TaSi_2$의 형성은 $800^{circ}C$에서 시작하며 $1000^{circ}C$ 이상에서 완료됨을 알았다. 형성된... -
Phenomenal study on the dopant activation behavior in polysilicon thin films doped by non-mass separated ion mass doping technique
윤진영, 최덕균, Yoon. Jin-Young, Park. Duck--Kyun 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 8 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 1997, Vol.7 No.1 143-150 (8 pages)
본 연구는 수소로 희석된 $B_2H_6$를 도판트 소스 가스로 사용하여 이온 질량 주입(ion mass doping)을 하였을 때 다결정 박막의 전기적 특성과 도판트의 활성화시 방사 손상(radiation damage)의 효과에 대하여 고찰하였다. 다결정 박막에서 보론(boron)의 SIMS 분석과 컴퓨터 시뮬레이션인 TRIM92를 비교해서 가장 주입 확률이 높은 이온의 종류는 $B_2H_x;^+$(x=1, 2, 3‥‥) 형태의 분자 이온임을 알았다. 높은 에너지의 질량 이온 주입 결과 시간에 따라 변화하는 비정질화된 층의 분율이 다결정 박막 내에 연속적인 비정질 충으로...


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