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Dynamic Threshold MOS 스위치를 사용한 고효율 DC-DC Converter 설계
하가산, 구용서, 손정만, 권종기, 정준모, Ha. Ka-San, Koo. Yong-Seo, Son. Jung-Man, Kwon. Jong-Ki, Jung. Jun-Mo 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 8 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2008, Vol.12 No.3 176-183 (8 pages)
본 논문에서는 DTMOS(Dynamic Threshold voltage MOSFET) 스위칭 소자를 사용한 고 효율 전원 제어 장치 (PMIC)를 제안하였다. 높은 출력 전류에서 고 전력 효율을 얻기 위하여 PWM(Pulse Width Modulation) 제어 방식을 사용하여 PMIC를 구현하였으며, 낮은 온 저항을 갖는 DTMOS를 설계하여 도통 손실을 감소시켰다. 벅 컨버터(Buck converter) 제어 회로는 PWM 제어회로로 되어 있으며, 삼각파 발생기(Saw-tooth generator), 밴드갭기준 전압 회로(Band-gap reference circuit), 오차 증폭기(Error amplifier), 비교기(Comparator... -
Sub-threshold MOSFET을 이용한 전류모드 회로 설계
조승일, 여성대, 이경량, 김성권, Cho. Seung-Il, Yeo. Sung-Dae, Lee. Kyung-Ryang, Kim. Seong-Kweon 통신위성우주산업연구회 통신위성우주산업연구회논문지 5 Pages
통신위성우주산업연구회 통신위성우주산업연구회논문지 2013, Vol.8 No.3 10-14 (5 pages)
(Dynamic Voltage Frequency Scaling) 응용을 위하여, 동작주파수의 변화에도 소비전력이 일정한 특성을 갖는 전류모드 회로를 적용함에 있어서, 저속 동작에서 소비전력이 과다한 전류모드 회로의 문제점을 전류모드 회로에서 sub-threshold 영역 동작의 MOSFET을 적용함으로써 소비전력을 최소화하는 설계기술을 소개한다. 회로설계는 MOSFET BSIM 3모델을 사용하였으며, 시뮬레이션한 결과, strong-inversion 동작일 때 소비전력은 $900{mu}W$이었으나, sub-threshold 영역으로 동작하였을 때, 소비전력이 $18.98{mu}W$가 되어, 98 %의... -
IC 보호회로를 갖는 저면적 Dual mode DC-DC Buck Converter
이주영, Lee. Joo-Young 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 7 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2014, Vol.18 No.4 586-592 (7 pages)
본 논문에서는 DT-CMOS(Dynamic Threshold voltage Complementary MOSFET) 스위칭 소자를 사용한 DC-DC Buck 컨버터를 제안하였다. 높은 효율을 얻기 위하여 PWM 제어방식을 사용하였으며, 낮은 온 저항을 갖는 DT-CMOS 스위치 소자를 설계하여 도통 손실을 감소시켰다. 제안한 Buck 컨버터는 밴드갭 기준 전압 회로, 삼각파 발생기, 오차 증폭기, 비교기, 보상 회로, PWM 제어 블록으로 구성되어 있다. 삼각파 발생기는 전원전압(3.3V)부터 접지까지 출력 진폭의 범위를 갖는 1.2MHz의 주파수를 생성하며, 비교기는 2단 증폭기로... -
스위치 전도 손실을 개선한 인터리브 DC-DC 벅-부스트 컨버터 설계
이주영, 주환규, 이현덕, 양일석, 구용서, Lee. Joo-Young, Joo. Hwan-Kyu, Lee. Hyun-Duck, Yang. Yil-Suk, Koo. Yong-Seo 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 6 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2010, Vol.14 No.3 250-255 (6 pages)
본 논문에서는 DTMOS(Dynamic Threshold voltage MOSFET) 스위칭 소자를 사용한 인터리브 방식의 전원제어 장치(PMIC)를 제안하였다. 휴대기기에 필요한 높은 출력 전압과 낮은 출력 전압을 제공하기 위하여 벅-부스트 컨버터를 사용하였다. 또한, 높은 출력 전류에서 고 전력 효율을 얻기 위하여 PWM(Pulse Width Modulation) 제어 방식을 사용하였다. 낮은 온-저항을 갖는 DTMOS를 사용하여 도통 손실을 감소시켰으며 인터리브 방식을 사용하여 출력 리플을 감소시켰다. 1mA 이하의 대기모드에서도 높은 효율을 구현하기 위하여 LDO를... -
Hot Carrier 현상에 의한 Bulk DTMOS의 RF성능 저하
박장우, 이병진, 유종근, 박종태, Park. Jang-Woo, Lee. Byoung-Jin, Yu. Jong-Gun, Park. Jong-Tae 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2005, Vol.42 No.2 9-14 (6 pages)
본 논문에서는bulk dynamic threshold voltage MOSFET(B-DTMOS)와 bulk MOSFET(B-MOS)에서 hot carrier 현상으로 인한 RF 성능 저하를 비교하였다. Normal 및 moderate 모드에서 B-DTMOS의 차단주파수 및 최소잡음지수의 열화가 B-MOS 소자 보다 심하지 않음을 알 수 있었다. 실험 견과로부터 hot carrier에 의한 RF 성능 저하가 DC 특성 열화 보다 심함을 알 수 있었다. 그리고 처음으로 hot carrier 현상으로 인한 B-DTMOS 소자의 RF 전력 특성 저하를 측정하였다.