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투명 유전체 PbO-B$_2$O$_3$-${SiO_2}-{Al_2}{O_3}$의 물성 및 전극(ITO)과의 반응성 연구
이재열, 홍경준, 김덕남, 김형순, 허증수, Lee. Jae-Yeol, Hong. Gyeong-Jun, Kim. Deok-Nam, Kim. Hyeong-Sun, Heo. Jeung-Su 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2001, Vol.11 No.4 305-311 (7 pages)
PDP용 투명유전체 재료로 사용되는 $PbO-B_2O_3-SiO_2-Al_2O_3$계의 소성과정 중에서 투명전극 (ITO)과의 반응성 및 광학적, 열적, 전기적 특성을 조사하였다. 본 연구에서 유전체막.두께는 12$mu extrm{m}$으로, 온도는 550-58$0^{circ}C$에서 소성한 후 여러 물성을 평가하였다 그 결과로, 유전체와 투명전극(ITO)의 반용에서, In 이온이 유전체층으로 확산이동하였으며, Sn 확산은 거의 발생하지 않았다. 선팽창계수, 유전상수, 유리전이온도,광 투과율은 유전체 조성의 PbO 양에 큰 영향을 받았다. PbO양 증가는 선팽창계수와... -
유도결합형 플라즈마 반응성 이온식각 장치를 이용한 SrBi$_2$Ta$_2$O$_9$ 박막의 물리적, 전기적 특성
권영석, 심선일, 김익수, 김성일, 김용태, 김병호, 최인훈 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 6 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 2002, Vol.9 No.4 11-16 (6 pages)
본 연구에서는 $SrBi_2Ta_2O_9$ (SBT)박막의 고속식각에 따른 잔류물질 및 식각 손상의 영향을 조사하였다. ICP-RIE (inductively coupled plasma reactive ion etching) 의 ICP power와 CCP(capacitively coupled plasma) power를 변화시키면서 고속식각에 따른 박막의 손상과 열화를 XPS 분석과 Capacitance-Voltage (C-V) 측정을 통하여 알아보았다. ICP와 CCP의 power가 증가함에 따라 식각율이 증가하였고 ICP power가 700 W, CCP power가 200 W 일때 식각율은 900$AA$/min이었다. 강유전체의 건식식각에 있어서 문제점이 플라즈마에... -
플라즈마 용사에 의한 AlSi-Al$_2$O$_3$ 복합재료 코팅층의 미세조직 및 마찰.마모특성
민준원, 유승을, 김영정, 서동수, Min. Joon-Won, Yoo. Seung-Eul, Kim. Young-Jung, Suhr. Dong-Soo 대한용접접합학회 大韓溶接學會誌 7 Pages
대한용접접합학회 大韓溶接學會誌 2004, Vol.22 No.5 46-52 (7 pages)
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$Fe_2{O_3}$가 첨가된 지르코니아계 용사코팅층의 마모마찰 특성
신종한, 임대순, 안효석 한국윤활학회 윤활학회지 7 Pages
한국윤활학회 윤활학회지 2000, Vol.16 No.2 84-90 (7 pages)
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Cl$_2$/Ar 가스 플라즈마에 $O_2$ 첨가에 따른 Pt 식각 특성 연구
김창일, 권광호 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 7 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 1999, No.0 29-35 (7 pages)
probe를 사용하여 이온전류밀도를 Ar/Clsub 2 /Osub 2 가스 플라즈마에서 측정하였다. Osub 2가스 첨가비가 증가할수록 Cl과 Ar species가 급격하게 감소하고 이온전류밀도 역시 감소함을 QMS와 single Langmuir probe로 확인하였다. Pt 식각율의 감소는 Osub 2가스 첨가비가 증가할수록 반응성 species와 이온전류밀도의 감소에 기인함을 의미한다. 150 nm/min의 치대 식각율과 2.5의 산화막식각 선택비가 50 sccm의 Ar/Clsub 2 /Osub 2 가수 유량, 600 W의 RF 전력, 125 V의 dc 바이어스 전압 및 10mTorr의 반응로 압력에서 얻었다. -
유도결합 C1$_2$/CF$_4$/Ar 플라즈마를 이용한 CeO$_2$ 박막 식각후 표면반응
이병기, 김남훈, 장윤성, 김경섭, 김창일, 장의구 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 5 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 2002, Vol.9 No.2 27-31 (5 pages)
식각장비에서 700 W의 RF전력과 -200 vo1t의 dc 바이어스 전압 및 15 mTorr의 반응로 압력에서 $Ar/CF_2$ 혼합가스에 $C1_2$가스를 첨가하면서 $CeO_2$ 박막을 식각하였다 최대식각 속도는 10%의 $C1_2$ 가스를 첨가하였을 시에 250 $AA$/min이었고, 이 조건에서 SBT에 대한 식각 선택비는 0.4이었다. XPS를 이용하여 식각된 $CeO_2$ 박막의 표면반응을 검토하였다. Ce 피크는 대부분 $CeO_2$또는 $Ce_2O_3$형태로 Ce-O 결합상태임을 관찰할 수 있었다. 대부분의 Cl 피크는 CeClx 또는 $Ce_x/O_yCl_z$ 형태로 Ce 원자와 결합하고 있었다