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SiOC 박막의 허용 가능한 유전상수 설정에 대한 연구
오데레사, Oh. Teresa 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2010, Vol.19 No.5 347-352 (6 pages)
또한 엘립소미터를 이용한 굴절률로부터 $n^2$을 구하는 방법이 있다. SiOC 박막의 유전상수는 쌍극자, 이온, 전자의 성분으로 이루어지며, 댁개 쌍극자 성분은 무시된다. 박막을 증착하는 동안 플라즈마에 의한 프리커서의 해리로부터 이온결합이 생성되면서 증착된다. 증착한 박막의 유전상수는 주로 이온결합 효과가 주를 이루었다. 열처리를 하면서 OH 수산기의 기화에 의해 유전상수는 감소되는데 이때 이온의 효과도 더불어 감소하게 된다. 상대적으로 무시되었던 전자에 의한 분극의 효과가 나타나면서 유전상수는 더욱 감소하였다... -
SiOC(-H) 박막 제조용 Methyltriphenylsilane 전구체 합성 및 특성분석
한덕영, 박재현, 이윤주, 이정현, 김수룡, 김영희, Han. Doug-Young, Park Klepeis. Jae-Hyun, Lee. Yoon-Joo, Lee. Jung-Hyun, Kim. Soo-Ryong, Kim. Young-Hee 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2010, Vol.20 No.11 600-605 (6 pages)
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저 유전체 SiOC 박막의 열처리 공정 온도에 따른 전기적인 특성에 관한 연구
오데레사, Oh. Teresa 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 4 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2011, Vol.48 No.8 1-4 (4 pages)
전기적인 특성의 변화와 유전상수에 관하여 연구하였다. SiOC 박막은 분극에 따른 특성을 분석하기 위해서 TMS과 산소의 혼합가스를 이용한 CVD방법에 의하여 증착되었으며, 300~500도까지 변화하면서 열처리를 하였다. SiOC 박막은 열처리에 의하여 유전상수는 더욱 낮아지며, 400도에서 열처리 한 경우 전기적인 특성이 우수한 것을 확인하였다. XRD 패턴에 의하면 300도이하에서 열처리한 박막과 400도 이상에서 열처리 한 경우 결합구조가 달라지는 것을 알 수 있고 400도 근처에서 급격한 변화가 일어나고 있는 것을 확인하였다. -
유전상수가 낮아지는 원인과 이온 분극의 효과
오데레사, Oh. Teresa 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2009, Vol.18 No.6 453-458 (6 pages)
SiOC 박막을 BTMSM과 산소의 혼합가스를 사용하여 CVD 방법으로 증착하였다. 박막의 특성은 가스 유량비에 따라서 변하였다. 유전상수는 MIS 구조를 이용하여 C-V 측정법에 의하여 얻었다. 결합의 말단을 구성하는 Si-$CH_3$ 결합 사이의 공간효과에 의해서 기공이 만들어지며, 기공의 형성에 의해서 박막의 두께가 증가하였다. 그러나 분극의 감소에 의해서 만들어지는 SiOC 박막은 두께가 감소하면서 유전상수도 감소되었다. 열처리 후 유전상수는 수산기의 기화에 의해서 감소되었다. 박막의 두께는 분극의 감소에 의한 유전상수의... -
절연박막에서 유전상수의 보상에 관한 연구
오데레사, Oh. Teresa 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2009, Vol.18 No.6 435-439 (5 pages)
해리된 가스의 재결합을 통하여 이온결합에 의해서 형성된다. 전통적으로 유전상수는 굴절률의 제곱으로 얻을 수 있거나 혹은 금속/절연체/실리콘 구조에서 C-V 측정법을 이용하여 얻어진다. 유전상수는 이온과 전자 성분으로 이루어졌다. 그래서 이온과 전자성분을 포함한 SiOC 박막의 평균적인 유전상수에 대하여 조사되었다. 유전상수는 열처리 후 감소되었다. 증착한 박막은 대부분이 이온효과에 의하여 유전상수가 구성되는 경향성이 있으며, 반대로 열처리한 박막에서는 전자에 의한 효과가 컸다. 왜냐하면, 이온의 효과가 열처리에... -
굴절률에 의한 유전상수와 전자에 의한 분극에 대한 상관성
오데레사, Oh. Teresa 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2009, Vol.18 No.1 24-29 (6 pages)
전자에 의한 분극에 대하여 측정하였다. MIS 구조를 이용하여 전형적인 C-V측적법에 의하여 유전상수를 구하였으며, 굴절률을 측정하여 전자에 의한 분극의 효과에 의한 유전상수를 측정하고 서로 비교하였다. SiOC 박막의 화학적인 특성은 FTIR 분석을 이용하였으며, FTIR 분석에서 디컨벌류션한 데이터는 탄소의 함량에 대한 변화를 구하였다. 탄소의 함량변화는 굴절률의 변화와 비슷한 경향성을 나타내었으나, 유전상수와는 반비례하였다. 전자에 의한 분극의 효과는 유전상수가 떨어지는 것에 큰 영향을 주지는 않았으며, 이온에...