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- 전기학회논문지. THE TRANSACTIONS OF THE KOREAN INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERS. C/ C, 전기물성-응용부문(2)
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE INSTITUTE OF ELECTRONICS ENGINEERS OF KOREA. SD, 반도체(2)
- 전기전자재료학회논문지(1)
- 전자공학회논문지(1)
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF TELEMATICS AND ELECTRONICS. D(1)
- 한국정밀공학회지(1)
- 한국진공학회지(1)
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펄스 레이저 증착법으로 성장된 실리콘 박막의 어닐링 온도 변화에 따른 발광 특성연구
김종훈, 전경아, 이상렬 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 4 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2002, Vol.15 No.1 75-78 (4 pages)
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이중 활성층(a-Si/a-SiNx)의 XeCl 엑시머 레이저 어닐링 효과
최홍석, 박철민, 전재홍, 유준석, 한민구 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 8 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 1998, No.0 46-53 (8 pages)
순수한 비정질 실리콘 박막을 증착하여 엑시머 레이저의 에너지로 비정질 실리콘 박막을 결정화하여 사용하였다. 이중 활성층 (a-Si/a-SiNx)의 경우, 하부층의 NH₃/SiH₄ 유속비가 증가함에 따라, 상부 a-Si 층의 결정 성장이 촉진됨을 알 수 있었으나, n+ poly-SiNx 층의 전도도 특성을 고려해 볼 때, NH₃/SiH₄ 유속비는 0.11의 상한치를 가짐을 알 수 있었다. 전계 방출 전류에 영향을 미치는 광학적 밴드갭의 경우, poly-Si 박막에 비해 증가하였으며, NH₃/SiH₄ 유속비가 0.11 이하에서도 0.1eV 정도의 증가를 보여, 이로 인하여... -
엑시머 레이저 어닐링을 이용하여 플라스틱 기판에 형성한 다결정 실리콘 박막의 특성
조세현, 이인규, 김영훈, 문대규, 한정인 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2004, Vol.13 No.1 29-33 (5 pages)
마그네트론 스퍼터링법으로 비정질 실리콘을 증착하여 진공분위기에서 엑시머 레이저 어닐링을 이용하여 플라스틱 기판위에 극저온 다결정 실리콘 박막(<$150^{circ}C$)을 형성하였다. 비정질 실리콘 박막은 $120^{circ}C$에서 Ar/He 혼합가스로 증착하였으며, Rutherford Backscattering Spectrometry로 측정한 박막내 아르곤 함량은 2% 이하였다. 에너지 밀도 320mJ/$ extrm{cm}^2$일 때 다결정 실리콘의 결정화도는 62%, Root-Mean-Square roughness는 267$AA$를 나타내었다. 엑시머 레이저 결정화 후 결정립의 크기는 50nm에서 100nm... -
반도체 및 디스플레이 산업에서의 레이저 가공 기술
조광우, 박홍진, Cho. Kwang-Woo, Park. Hong-Jin 한국정밀공학회 한국정밀공학회지 7 Pages
한국정밀공학회 한국정밀공학회지 2010, Vol.27 No.6 32-38 (7 pages)
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산소 어닐링이 마그네 트론 스퍼터링으로 증착된 undoped ZnO박막의 구조적, 광학적, 전기적 특성에 미치는 영향에 대한 연구
윤의중, 박형식, Yun. Eui-Jung, Park. Hyeong-Sik 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 8 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2009, Vol.46 No.7 7-14 (8 pages)
연구에서는 어닐링조건이 ZnO 박막의 결정구조((002) 세기, FWHM d-간격, grain 크기, (002) 피크 위치) 광학 (UV 피크, UV 피크 위치) 및 전기적 성질 (전자농도, 비저항, mobility)에 미치는 영향을 조사하였다. ZnO 박막은 RF 마그네트론 스퍼터링으로 ZnO 타겟을 사용하여 SiO$_2$/Si 기판 상에 증착하였다. 증착도중 기판에 열을 가하지 않았고 ZnO 박막은 $500^{circ}Csim650^{circ}C$의 온도범위와 5분$sim$20분의 시간범위에서 어닐링 되었다. 샘플의 표면 거칠기 및 구조는 각각 SEM과 XRD로 분석하였다. 광학 성질은 He-Cd 325... -
Buffered Oxide Etch 세정에 의한 다결정 실리콘 TFT의 전기적 특성 개선
남영묵, 배성찬, 최시영 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2004, Vol.41 No.8 31-36 (6 pages)
본 논문에서는 UV 처리와 BOE 세정을 이용하여 레이저 어닐링 전의 실리콘 표면에 자연 산화막을 제거하여 다결정 실리콘 TFT의 신뢰성을 향상시키는 방법을 제안하였다. 전처리 공정이 다결정 실리콘의 표면 거칠기에 미치는 영향을 AFM으로 측정하였으며, 다결정 실리콘 TFT의 전기적 특성인 스위칭 특성과 항복특성을 대형 유리기판의 위치와 전처리의 유무에 대해서 조사하였다. -
강유전성 $PbTiO_3$ 박막의 형성 및 계면특성
허창우, 이문기, 김봉열, Hur. Chang-Wu, Lee. Moon-Key, Kim. Bong-Ryul 대한전자공학회 전자공학회논문지 7 Pages
대한전자공학회 전자공학회논문지 1989, Vol.26 No.7 83-89 (7 pages)
형성시켰다. 이 박막의 구조는 X선 회절결과 비정질 형태로 파이로클로어 구조를 갖고 있었다. 이 박막을 열에 의해 어닐링한 경우는 $550^{circ}C$에서, 레이저의 주사로 어닐링한 경우는 레이저 출력이 50watts일때 가장 우수한 결정 구조를 구할 수 있었다. 집합에서의 계면 특성을 구하기 위하여 MFS(metal-ferroelectric-semiconductor)및 MFOS(metal-ferroelectric-oxide-semiconductor) 구조를 형성하여 C-V특성을 조사하였다. 이때 MFS보다 MFOS의 경우가 Si표면에 sputter에 의한 결함이 작음을 알 수 있었다. -
ON/OFF 전류비를 향상시킨 새로운 bottom-gate 구조의 다결정 실리콘 박막 트랜지스터
전재홍, 최권영, 박기찬, 한민구, Jeon. Jae-Hong, Choe. Gwon-Yeong, Park. Gi-Chan, Han. Min-Gu 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 4 Pages
대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 1999, Vol.48 No.5 315-318 (4 pages)


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