공업계측분야에 대한 계수기술은 최근획기적인 발전을 거두고있다. 계수화된 계측기는 측정정도에 있어서 개인차나 오산이 없으므로 과거의 눈금식의 계측방식은 이로 대치되어 갈것인데 그 계측 가능한 속도에 있어서 종래의 진공관보다 Transistor식이 되면 훨씬 고속도까지도 계수가 쉽게 되고 장치 및 계수표시용소비전력도 개량되어가고 있다. 이러한것이 되므로서 높은 주파수측정, 짧은 시간측정은 물론이고 전기적인 진폭의 크기를 Analog to Digital 변환기로서 정밀도가 높은 계측을 가능하게 하고 특히 방사능 측정에 있어서 종래의것보다 더 고속화되므로서 방사능의 완전한 성질을 파악할 수 있을 것이다. 그것은 1Cure의 방사능이 3.7*$10^{10}$dps의 붕괴수를 갖고 있으나 현재는 약 2.8*$10^{7}$ cps정도의 계측이 가능할 따름이다. 따라서 계측속도를 더 향상시키므로서 강한 방사능계측도 가능하게 된다. 이러한 고속계수문제의 해결을 하기 위하여 Transistor회로로서 두가지면으로 추구되고 있다. 그 하나는 고속도용 Transistor자체의 개발이며 또하나는 회로적인 개량연구이다. 여기서는 후자에 관해서만 생각하고, 거기에 적합한 Transistor를 얻었을때의 설계기준과 기본적인 실험결과에 관해서 논하기로 한다.