Octahedral symmetry 를 지닌 리간드에 의한 영향 아래있는 하나의 d전자를 갖는 금속 착물을 대상으로, 결정장 분리계수 10Dq를 결정장이론에 의하여 이론적으로 계산하였다. 점전하 모형을 쓰되, Shull-Lowdin 함수를 사용하여 배치간 작용을 고려하고, Integral Hellmann-Feynman Theorem을 써서 고차섭동의 영향을 추출하였다. 고차섭동의 영향이 일차섭동의 약 $50{\%}$가 됨을 알았다. Octahedral potential에 의해 3d 함수의 각 성분의 변화가 없고, $E_g;와;T_{2g}$상태에서, 동경성분의 변화가 일정하므로 10Dq는 유일한 파라미터로 남을 것이라는 결론을 얻었다.
For the metal complex of $d^1$ configuration with the octahedrally coordinated ligands, the crystal field parameter, 10Dq, is calculated from first principles within the framework of the crystal field theory. With the point charge model, the configuration interaction is introduced by use of the Shull-L$"{o}$wdin functions. Through the Integral Hellmann-Feynman Theorem, the higher order effect is visualized. It is found that the higher order effect on 10Dq is about $50{\%}$ of the first order effect. Since 3d function is angularly undistorted and radially equally distorted in $E_g;and;T_{2g}$ states, due to the octahedral potential, the calculated 10Dq is still the unique parameter for the splitting.
