MOSFET의 모델을 설정하여 여러 bias 조건하에서 연결방정식과 Poisson 방정식을 numerical method로 풀어 그 해로서 전자와 정공의 분포와 전위분포를 구하였으며 또한 그 결과를 종래의 analytic한 이론들과 비교하여 보다 정확하고 CAD(Computer Aided Design)에 적합한 모델을 제안하였다.