- 바나디움 주화물 반도체에 의한 발진현상에 관한 연구
- ㆍ 저자명
- 이종헌,홍창희,이화용,Lee. Jong-Heon,Hong. Chang-Hui,Lee. Hwa-Yong
- ㆍ 간행물명
- 電子工學會誌
- ㆍ 권/호정보
- 1979년|16권 3호|pp.9-18 (10 pages)
- ㆍ 발행정보
- 대한전자공학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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본 논문에서는 바나디움 주화물을 사용한 새로운 반도체 소자인 C.T.R을 제조하여 그외 전기적 특성을 조사하였다. 그 실험결과는 다음과 같다. (1) 제조될 C.T.R의 저항급변계수 는 3정도였고, (2) 의 값은 환원시간과 급냉시간에 크게 의존하였으며, (3) 의 큰 값을 갖는 C.T.R은 짧은 switching현상을 갖는다.
In this paper, we fabricated a samiconductor C. T. R.(Critical Temperature Resisthor) using vanadium-oxides as material and measured its electrical characteustics. Experimental results are as follows; (1) The abrupt resistance change coefficient of the fabricated C. T, R., , is approximately 3 and (2) the value of depends largely on the reducing time and quenching time and also (3) the C. T, R. with larger value of has shorter switching time.