- Short-Channel EIGFET의 Threshold 전압 모델에 관한 연구
- ㆍ 저자명
- 박광민,김홍배,곽계달,Park. Gwang-Min,Kim. Hong-Bae,Gwak. Gye-Dal
- ㆍ 간행물명
- 電子工學會誌
- ㆍ 권/호정보
- 1985년|22권 4호|pp.1-7 (7 pages)
- ㆍ 발행정보
- 대한전자공학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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본 논문에서는, drain 전압과 substrate bias에 종속적인 관계를 갖는 short-channel enhancement-mode IGFET의 threshold전압에 대한 보다 개선된 모델을 제시한다. 특히, 최근에 발표된 몇몇 모델들에 비해. short-channel effect에 의한 correction factor를 정확히 해석함으로써 오차를 충분히 줄일 수 있었으며, 본 모델을 이용하여 계산한 이론값은 약 1μm 정도의 채널 길이를 갖는 device에 대해서도 실험값과 잘 일치한다.
In this paper, a more improved threshold voltage model dependent on drain voltage and substrate bias for short - channel enhancement - mode IGFET is presented. Especially, compared with the several recently published models, the error is sufficiently reduced with the precise analysis on the correction factor for short-channel effect and the calculated values using this model are also agreed well with the experimental data about 1$mu$m - channel length device.