- LPE에 의한 1.3$mu$m GaInAsP/InP DH 레이저의 제작 및 발진특성
- ㆍ 저자명
- 신동혁,유태환
- ㆍ 간행물명
- 電子工學會誌
- ㆍ 권/호정보
- 1985년|22권 4호|pp.72-75 (4 pages)
- ㆍ 발행정보
- 대한전자공학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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Double-heterostructure 구조의 1.3μm GalnAsP/lnP 웨이퍼를 LPE 기술로 성장시키고, 전면전극(broad contact)레이저 다이오드를 제작, 실온에서 펄스 발진시켜 전기적 및 광학적 특성을 조사하였다. 발진 개시전류는 2Amp. 이하, 발진개시전류밀도 3∼6 KAmp./㎠였으며, 파장 1.315μm에서 발진하는 것을 확인하였다.
1.3$mu$m double-heterostructure GaInAsP/InP wafers have been grown by LPE and broad contact laser diodes have been fabricated. Electrical and optical characteristics of these lasers under pulsed lasing operation at room temperature are described. Typical threshold currents are below 2 Amp. corresponding to threshold current densities of 3 - 6 KAmp./$ extrm{cm}^2$ and peak lasing wavelength is shown to be at 1.315 $mu$m.