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습식 직접합성법을 이용한 PTCR 소자개발 연구
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  • 습식 직접합성법을 이용한 PTCR 소자개발 연구
저자명
이경희,이병하,이희승
간행물명
요업학회지
권/호정보
1985년|22권 4호|pp.61-65 (5 pages)
발행정보
한국세라믹학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

$BaTiO_3$ powders doped with $BaTiO_3$ and $Nb_2O_5$ at 9$0^{circ}C$ for 1hr. were synthesized by Direct Wet Process. These powders were very homogeneous and fine particle size. To obtain the highe PTCR effect AST($1/3Al_2O_3$.$3/4SiO_2$.$1/4TiO_2$) and $MnO_2$ were added in the semiconduc-ting $BaTiO_3$. In this case $Bi_2O_3$ and $MnO_2$ were used in the form of $Bi(NO)_3$ and $MnCl_2$.$4H_2O$ solution for Direct Wet Process. $BaTiO_3$ doped Nb2O5 and $MnO_2$ demostrated greater PTCR effect than $BaTiO_3$ doped $Nn_2O_5$ only.