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반도체분야에 있어서 고융점 Metal-Silicide기술과 그 활용현황 (I)
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  • 반도체분야에 있어서 고융점 Metal-Silicide기술과 그 활용현황 (I)
저자명
성만영,박영진
간행물명
전기학회지= The Processing of the Institute of Electrical Engineers
권/호정보
1986년|35권 8호|pp.483-492 (10 pages)
발행정보
대한전기학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

본고의 내용은 다음과 같다. 1. 집적회로에 적합한 Silicide 2. 실리사이드 막의 형성방법 3. 실리사이드 막의 구조 4. 열처리에 의한 조성 변화 5. 실리사이드 막에 있어서 인(P)의 도핑 5.1 실리사이드막 중의 인(P) 5.2 실리콘에의 인(P) 확산 6. 실리사이드 막의 열산화 6.1 실리사이드/실리콘계의 산화 6.2 실리사이드/산화막계의 산화 6.3 산화의 측면에서 실리사이드의 비교 6.4 인이 도핑된 실리사이드의 저온증속산화 7. 반도체 디바이스에의 응용