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PECVD a-$SiN_x$:H 박막(薄膜)의 특성(特性)과 열적안정성(熱的安定性)
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  • PECVD a-$SiN_x$:H 박막(薄膜)의 특성(特性)과 열적안정성(熱的安定性)
저자명
송진수,박주석,Song. Jin-Soo,Park. Joo-Suk
간행물명
태양에너지
권/호정보
1986년|6권 1호|pp.12-23 (12 pages)
발행정보
한국태양에너지학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

The PECVD $SiN_x:H$ films were made from the $SiH_4-N_2$ gas mixtures under such deposition conditions as 0.01 to 1.0 of $SiH_4/N_2$ volume ratio, 0.1 to $0.8W/cm^2$ of RF power, and 100 to $400^{circ}C$ of substrate temperature. The deposition rate, refractive index, hydrogen concentration, N/Si composition, optical gap and electric conductivity were measured, and the thermal stability and the optimum deposition conditions were investigated for the application of these films to the solar cell materials.