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종결정법을 이용한 저전압 ZnO 배리스터의 제조 및 전기적 특성
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  • 종결정법을 이용한 저전압 ZnO 배리스터의 제조 및 전기적 특성
저자명
강승구,오재희
간행물명
요업학회지
권/호정보
1988년|25권 5호|pp.552-560 (9 pages)
발행정보
한국세라믹학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

ZnO low voltage varistor was obtained by varying a) the amount of seed grains, b) the size of seed grains, and c) sintering temperature. Also, the optimum condition for fabricating the ZnO seed grains was studied. Large ZnO seed grains were obtained by washing a ZnO sintered body containing 1m/of BaCO3 in boiling water. When the seed grains were added, abnormal grain growth occurred, and the varistor voltage sharply decreased. However, when more than 5w/o of seed grain content was added, the varistor voltage gradually increased. When 10w/o seed grains of 75~106${mu}{ extrm}{m}$ were added and sintered for 2 hours at 1200 to 125$0^{circ}C$, low voltage varistor properties with V1mA/mm of 19V/mm and nonlinear exponent ($alpha$) of 12 occurred.