기관회원 [로그인]
소속기관에서 받은 아이디, 비밀번호를 입력해 주세요.
개인회원 [로그인]

비회원 구매시 입력하신 핸드폰번호를 입력해 주세요.
본인 인증 후 구매내역을 확인하실 수 있습니다.

회원가입
서지반출
자기 버블 및 수직 블로흐 자선 기억 소자 재료
[STEP1]서지반출 형식 선택
파일형식
@
서지도구
SNS
기타
[STEP2]서지반출 정보 선택
  • 제목
  • URL
돌아가기
확인
취소
  • 자기 버블 및 수직 블로흐 자선 기억 소자 재료
저자명
조순철
간행물명
電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
권/호정보
1988년|1권 3호|pp.228-234 (7 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
서지반출

기타언어초록

본 논문에서는 자기 버블 및 VBL 기억 소자의 기본적인 동작원리 및 사용되는 재료 특히 자기 가넷 박막의 설계와 제조과정을 살펴보았다. 자기 가넷의 가장 큰 장점중의 하나는 응용 분야에 따라 원하는 자기적 특성을 갖는 박막을 쉽게 성장시킬 수 있다는 장점이다. 그러나 현재의 결과로는 0.3.mu.m 이하의 직경을 갖는 버블 박막은 가넷을 이용하여서는 제조하기 힘들므로 그보다 작은 버블을 원하면 육방정계 페라이트나 비정질 합금을 이용하여야 할 것으로 보인다. VBL소자의 경우 0.5.mu.m직경의 버블로 1Gbit/$cm^{2}$의 기록 밀도가 예상되므로 가까운 장래에는 가넷이외의 재료를 생각할 필요는 없을 것이다. 현재의 연구 추세로는 0.3.mu.m직경의 버블을 이용한 버블 소자가 개발되면 또는 그 이전에라도 VBL 소자가 버블 소자를 대치할 것으로 보여 한동안 가넷이외의 재료에 대한 연구는 활발하지 않을 것으로 전망된다.