530A의 질화막과 23A의 엷은 산화막두께로 제작된 MNOS 소자의 기억트랩분포와 기억특성을 TSC방법과 C-V방법으로 조사하였다. 소자는 전기적으로 기억갱신이 가능하며 무전압유지가 반영구적임을 확인하였다. 기억트랩에 해당하는 TSC곡선을 분석하는데는 공간적, 에너지적인 트랩의 분포모형을 가정하고 best fitting법을 사용하였다. 그 결과 기억트랩은 질화막-산화막 계면에서 질화막안으로 10A 깊이로 분포되었으며 에너지준위는 질화막전도대 하단에서 2.35-2.38eV로 분포되어 있음을 밝혔다. 또한 방전기구는 산화막층을 통한 직접터널링과 열적여기를 함께 고려하여 설명할 수 있었다.