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Colloid 半導體 界面의 電氣化學的 現象에 關한 定性的 解析
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  • Colloid 半導體 界面의 電氣化學的 現象에 關한 定性的 解析
저자명
천장호,Chun. Jang-Ho
간행물명
전자공학회논문지
권/호정보
1988년|25권 10호|pp.1209-1215 (7 pages)
발행정보
대한전자공학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

도핑된 실리콘半導體와 有機容媒($C_6H_6$, $CH_3OH$, $C_2H_5OH$) 界面의 空間電荷效果와 도핑되지 않은 多結晶 硏化갈리움半島體와 電解質(NaCl, KCl, KI 溶液) 界面의 제타電位 反轉現象을 小電氣泳動測定에 依하여 定性的인 解析을 하였다. 有機容媒內의 空間電荷效果는 무시 할 수 있으며 제타 電位 反轉現象은 도핑되지 않은 多結晶 硏化 갈리움과 電解質 界面의 表面位置, 特性的 吸着, 電氣陰性度, 特性的으로 吸着된 이온의 크기에 따라 決定됨을 알았다. 콜로이드半導體의 解析面은 表面에서 結定된 거리에 位置하면 Helmholtz外面(OHP)에 거의 一致한다.

기타언어초록

A space charge effect at the doped silicon semiconductor/organic solvent ($C_6H_6$, $CH_3OH$, $C_2H_5OH$) interfaces and a mechanism for two reversals of zeta potentials at the undoped polycrystalline gallium arsenide semiconductor/electrolyte (NaCl, KCl, KI solution) interfaces has been qualitatively analyzed using microelectrophoresis measurements. It has been found that the space charge effect in the organic solvents can be neglected and the two reversals of zeta potentials depend on surface states, specific adsorption, electronegativity and size of specifically adsorbed ions at the undoped polycrystalline gallium arsenide/electrolyte interfaces. The position of shear plane of colloidal semiconductors is a fixed distance from the surface and is almost or exactly coincides with the outer Helmholtz plane (OHP).