$TiSi_2$형성기구를 규명하기 위하여 Si기판에 As이온 주입량을 달리하여 이론주입한 후 Ti을 증착시키고 Ar 분위기에서 100$^{circ}$간격으로 600~900$^{circ}$까지 20초 동안 급속열처리 장치에서 어닐링하여 Tr-silicides를 형성시켰다. 각 시편의 Ti-silicides의 면저항 및 두께를 측정하고 Si기판내에서의 어닐링에 따른 As첨가물의 분포를 관찰하였다. Tr-silicides의 두께는 이온주입량이 증가함에 따라 감소하였고 면 저항값은 증가하였다. 이러한 결과를 Si확산에 관련된 요인들과 관련지어 논의하였다.
Sputter-deposited Ti film on Si substrates which were implanted with various doses of As was annealed at the temperature of 600-900$^{circ}C$ for 20 sec in Ar atmosphere. The sheet resistance of Ti-silicides was measured by 4-point probe, the thickness by $alpha$-step, and observed the behavior of As dopant in Si substrates by ASR. With increasing As doses, the thickness of Ti-silicides decreased and the sheet resistance of Ti-silicides increased. And we discussed the relationships between the above results and the factors of Si diffusion.
