본 논문은 반도체 레이저의 주파수변조 응답특성에 대한 새로운 회로모델링 방법을 제시하였다. 특히 본 등기회로 모델은 캐리어농도의 변조효과 뿐만 아니라 온도효과에 따른 변조특성을 고려하였다. 본 모델에서 예상된 이론치는 기존에 발표된 CSP형 레이저의 정형파변조 실험결과와 잘 일치하고 있음을 알 수 있었다.
This paper describes a new circuit modeling technique for the directly frequency modulated semiconductor laser. Especially this model accounts for not only the accounts for not only the carrier density effect but also the temperature effect. The simulation results with this model are compared with published experimental results of sinusoidal frequency modulation in the range from DC to 3 GHz, and show good agreements.
