에피층을 이용하여 소자를 제작할 때 에피층의 품질은 그 소자의 성능에 결정적인 역할을 한다. 이러한 에피층의 결정성, 불순물의 종류 및 농도, 불순물의 에너지 준위, 조성 등을 평가 할 수 있는 방법으로 PL이 널리 사용되고 있다. 본 고에서는 MBE를 이용하여 GaAs, AlGaAs 층을 성장할 때 PL로 에피층을 평가하여 성장조건을 확립하기 위한 기초자료를 마련하고자 PL의 원리와 측정방법을 조사하고 MBE로 성장시킨 GaAs의 PL의 특성을 분석 정리하였다.