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$RuO_2$계 후막저항체의 미세구조와 전기적성질
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  • $RuO_2$계 후막저항체의 미세구조와 전기적성질
저자명
구본급,김호기
간행물명
요업학회지
권/호정보
1990년|27권 3호|pp.337-344 (8 pages)
발행정보
한국세라믹학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

As a function of sintering temperature and time, the electrical properties of ruthenium based thick film resistors were investigated with microstructure. The variatio of resistivity and TCR(temperature coefficient of resistance)trends of sintered speciman at various sintering temperature were different low resistivity paste(Du Pont 1721) from high one(Du Pont 1741). These phenomena are deeply relative to microstructure of sintered film. With increasing the sintering temperature for 1721 system, the electrical sheet resistivity decreased, but again gradually increased above 80$0^{circ}C$. And TCR trends in 1721 system are all positive. On the other hand the electrical sheet resistivity of 1741 resistor system decreased with sintering temperature. And TCR trends variable according to sintering temperature. TCR of speciman sintered at $700^{circ}C$ was negative value, and TCR of 80$0^{circ}C$ sintered speciman coexisted negative and positive value. But in case of speciman sintered at 90$0^{circ}C$, TCR was positive value. As results of this fact, it was well known that the charge carrier contributied to electrical conduction in 1741 resistor system varied with sintering temperature.