기관회원 [로그인]
소속기관에서 받은 아이디, 비밀번호를 입력해 주세요.
개인회원 [로그인]

비회원 구매시 입력하신 핸드폰번호를 입력해 주세요.
본인 인증 후 구매내역을 확인하실 수 있습니다.

회원가입
서지반출
실리콘 단결정 성장 기술개발 동향
[STEP1]서지반출 형식 선택
파일형식
@
서지도구
SNS
기타
[STEP2]서지반출 정보 선택
  • 제목
  • URL
돌아가기
확인
취소
  • 실리콘 단결정 성장 기술개발 동향
저자명
조한식
간행물명
한국결정성장학회지
권/호정보
1991년|1권 1호|pp.117-126 (10 pages)
발행정보
한국결정성장학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
서지반출

기타언어초록

실리콘 단결정은 반도체 소자 제조에 널리 쓰이는 중요한 재료로서 이 결정 성장 기술은 결정의 고품질화, 대구경화를 이룩하기 위하여 꾸준히 발전되어 왔다. 본 보는 생산성의 경제적인 효율 측면에서 각종 결정 인상 기술이 장, 단점을 간략히 소개하고, 이 기술 및 공정의 장래에 대하여 기술하였다.

기타언어초록

Silicon single crystal is the most frequently used materials for the semiconductor device fabrication, The crystal growth techniques have been steadily improving for achieving a greater degree of crystal perfection and large ingot size. This report present the advantages, disadvantages and technical problems of the various crystal pulling technique briefly on the economic impact of productivity. Also, future directions of the pulling technique and process including the economical and quantitative aspects are deal with.