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InGaAs APD/GaAs MESFET를 이용한 광 수신 전치증폭기의 설계
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  • InGaAs APD/GaAs MESFET를 이용한 광 수신 전치증폭기의 설계
저자명
이영철,신철재
간행물명
한국통신학회논문지
권/호정보
1991년|16권 11호|pp.1071-1083 (13 pages)
발행정보
한국통신학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

본 논문에서는 InGaAs APD와 GaAs MESFET를 이용하여 광 수신 전치증폭기의 설계와 제작에 대하여 논의 하였다. 3단 전달 임피던스형 광 수신 전치 증폭기에 대하여 분석하였으며 마이크로스트립을 이용하여 실현 시켰다. 실현된 광수 신전치 증폭기의 성능을 컴퓨터 시뮬레이션에 의하여 예측할 수 있었으며 이론값을 실험한 결과와 비교하였다. 설계 제작한 혼합 마이크로파 집적회로 형태의 광 수신 전치 증폭기는 대역폭이 380MHz이었으며 565Mb/s, $BER10^9$에서 수신기의 감도는 -40.6dBm을 보였다.

기타언어초록

In this paper, we describe the design and realization of optical preamplifier with InGaAs APD and GaAs MESFET. Optical preamplifier which is three stage trans-impedance circuit is analyzed in detail and realized in microstrip circuits. With the kmowledge of the InGaAs, GaAs MESFET and BJT, the performance of the optical is predicted by computer simulation and the theoretical predictions are compared with the experimental results. The designed hybrid MIC optical preamplifier exhibits a bandwith of 380MHz and a receiver sensitivity of -40. 6dBm at $1.55{mu}m$ wavelength when operating at 565Mb/s with BER of $10^{-9}$.