고분해능 전자에너지손실과 자외선광전자분광법을 사용하여 단결정 ZrC(111)면의 산소흡착을 연구하였다. 산소는 낮은 산소노출량에서 $(sqrt{3}{ imes}sqrt{3})R30^{circ}$ 구조로 흡착된다. 노출량이 승가하면 $1{ imes}1$ 구조로 바뀌는데 이때 흡착하는 산소원자는 $(sqrt{3}{ imes}sqrt{3})R30^{circ}$ 구조에서보다 흡착높이가 낮으며 3-fold hollow site의 중심에 놓이지 않고 bridge site에 가까와진다. 서로 다른 산소흡착 거동은 개끗한 ZrC(111) 표면에서 두개의 표면전자상태에 기인한다.
Oxygen chemisorption on single crystal ZrC(111) surface was studied by high-resolution electron energy loss and ultraviolet photoelectron spectroscopy. At a low amount of oxygen exposure, adsorbed oxygen atoms construct $(sqrt{3}{ imes}sqrt{3})R30^{circ}$ structure. On the other hand, oxygen adsorption changes into $1{ imes}1$ structure as the amount of oxygen exposure increases. The adsorbed oxygen atoms show smaller vertical distance from the Zr topmost layer in the $1{ imes}1$ structure than in the $(sqrt{3}{ imes}sqrt{3})R30^{circ}$ structure and approach to the bridge site rather than 3-fold hollow site. The two different oxygen adsorption behavior comes from the two different surface stales of the clean ZrC(111) surface.
