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불순물이 심하게 첨가된 InGaP 박막의 Moss-Burstein 효과관측
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  • 불순물이 심하게 첨가된 InGaP 박막의 Moss-Burstein 효과관측
ㆍ 저자명
정부성,박현기,장수경,정중현,박홍이,Jeong. Bu-Seong,Park. Hyun-Ki,Chang. Su-Keong,Chung. Joong-Hyun,Park. Hong-Lee
ㆍ 간행물명
전자통신
ㆍ 권/호정보
1991년|13권 4호|pp.80-87 (8 pages)
ㆍ 발행정보
한국전자통신연구원
ㆍ 파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
ㆍ 주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Heavily unintentionally doped n-type InGaP wa grown by LPE technique. Temperature and excitation power dependence of PL measurements were carried out to investigate the first observed 2.107 eV PL peak in $In_0.5$$Ga_0.5$P. Also the unintentionally doped major impurity was found to be sulfur through XRF technique.

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