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열산화법으로 형성한 $Pt-SnO_{2-x}$ 박막소자의 CO 가스 감지특성
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  • 열산화법으로 형성한 $Pt-SnO_{2-x}$ 박막소자의 CO 가스 감지특성
저자명
심창현,박효덕,이재현,이덕동,Shim. Chang-Hyun,Park. Hyo-Derk,Lee. Jae-Hyun,Lee. Duk-Dong
간행물명
센서학회지
권/호정보
1992년|1권 1호|pp.117-123 (7 pages)
발행정보
한국센서학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

적층구조의 Pt-Sn 박막을 히터 위에서 열산화하여 $Pt-SnO_{2-x}$ 박막형 CO 가스감지소자를 제조하였다. 열증착법으로 증착된 Sn의 두께는 $4000{AA}$이었으며 그 위에 D.C. sputtering법으로 증착된 Pt의 두께는 $14{AA}{sim}71{AA}$ 이었다. XRD 분석에서 $Pt-SnO_{2-x}$ 박막은 $200{AA}$ 정도의 입경과 주방향성이 (110)인 $(SnO_2){cdot}6T$ 결정상을 보였다. $Pt-SnO_{2-x}$ 박막소자(Pt 두께 : $43{AA}$)는 6000 ppm의 CO에 대해 80% 정도의 감도와 CO에 대해 높은 선택도를 나타내었다. 그리고 CO에 고감도를 갖는 $Pt-SnO_{2-x}$ 박막소자의 열산화온도와 동작온도가 각각 $500^{circ}C$와 $200^{circ}C$ 이었다.

기타언어초록

$Pt-SnO_{2-x}$ thin film sensing devices has been fabricated by thermal oxidation of stacked Pt-Sn thin film on the heater. The thickness of Sn thin film deposited by thermal evaporation was $4000{AA}$ and the thickness of Pt deposited by D.C. sputtering on Sn thin film was $14{sim}71{AA}$ range. The XRD analysis show that the $Pt-SnO_{2-x}$ thin films are formed by grains with a diameter of about $200{AA}$ randomly connected and the crystalline phase of the thin films are preferentally oriented in the (110) direction. $Pt-SnO_{2-x}$ thin film device (Pt thickness : $43{AA}$) to 6000 ppm CO shows the sensitivity of 80% and high selectivity to CO. And the operating temperature and the thermal oxidation temperature of $Pt-SnO_{2-x}$ thin film device with high sensitivity to CO were $200^{circ}C$ and $500^{circ}C$, respectively.