- 액상결정성장에 의한 InGaAsP/InP MQW-ND 제작에 관한 연구
- ㆍ 저자명
- 조호성,홍창희,오종환,예병덕,이중기
- ㆍ 간행물명
- 한국광학회지
- ㆍ 권/호정보
- 1992년|3권 4호|pp.252-257 (6 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국광학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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본 연구에서는 수직형 LPE 장치를 이용하여 InGaAsP/InP MQW-DH웨이퍼를 성장하고 10$mu$m stripe MQW-LD를 제작하였다. 공진기 길이 470$mu$m LD의 경우 이득스펙트럼 중심파장은 1.32$mu$m였다. 발전파장은 1.302$mu$m로써 양자우물두께 300$AA$의 이득중심에 해당한다는 사실을 알 수 있었다.
In this study, InGaAsP/InP MQW-DH wafer was grown by a vertical type LPE system and 10$mu$m stripe MQW-LD was fabricated with the wafer. The threshold current was about 200 mA and when the cavity length of the LD was 470$mu$m the central wavelenth of gain spectra was 1.32$mu$m the lasing wavelength was 1.302$mu$m which corresponded to the gain center of the quantum well thickness of 300 $AA$.