표면구조 분석장치의 하나인 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction) 장치를 설계.제작하였다. 전자선의 에너지는 0에서 20keV까지 연속가변이 가능하도록 하였 으며 전자선의 접속은 자기렌즈를 이용하였다. 이 장치를 본 연구실에서 제작한 초고진공용 기에 장착하여 K, Cs/Si(111)계의 표면구조를 분석하였다. 깨끗한 Si(111)7 $ imes$ 7 표면을 가 지는 기판의 온도를 상온 및 20$0^{circ}C$ ~ $700^{circ}C$에서 K와 Cs를 증착시켰을 때 변화하는 표면 구조를 RHEED로 관찰하였다. K의 경우, 상온에서 Si(111)7 $ imes$ 7-K, $300^{circ}C$~$550^{circ}C$에서 3 $ imes$ 1 및 $550^{circ}C$ 이상에서 1 $ imes$ 1 구조가 관측되었고, Cs의 경우는 상온에서 $250^{circ}C$까지는 1 $ imes$ 1, $300^{circ}C$에서 {{{{ SQRT { 3} $ imes$ {{{{ SQRT { 3} }}, $350^{circ}C$~$400^{circ}C$에서 {{{{ SQRT { 3} {{{{ SQRT { 3} 1 구조가 관측되었다.