기관회원 [로그인]
소속기관에서 받은 아이디, 비밀번호를 입력해 주세요.
개인회원 [로그인]

비회원 구매시 입력하신 핸드폰번호를 입력해 주세요.
본인 인증 후 구매내역을 확인하실 수 있습니다.

회원가입
서지반출
갈륨비소 MESFET를 이용한 고이득 연산 증폭기의 입력단 설계
[STEP1]서지반출 형식 선택
파일형식
@
서지도구
SNS
기타
[STEP2]서지반출 정보 선택
  • 제목
  • URL
돌아가기
확인
취소
  • 갈륨비소 MESFET를 이용한 고이득 연산 증폭기의 입력단 설계
저자명
김학선,김은노,이형재
간행물명
한국통신학회논문지
권/호정보
1992년|17권 1호|pp.68-79 (12 pages)
발행정보
한국통신학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
서지반출

기타언어초록

고속 아날로그 시스템,위성통신시스템, video signal processing 및 processing 및 optical fiber interface 회로등에서 높은 전자이동도로 인하여 고주파 툭성이 우수한 GaAs 연산 증폭기는 필수적인 구성 요소이다. 하지만, 낮은 전달컨덕턱스 및 low frequency dispersion등의 현상 때문에 높은 전압이득을 얻을 수 없다는 단점을 가지고 있다. 따라서 본 논문에서는 GaAs MESFETfmf 이용한 증폭기의 이득을 증가시키기 위한 기법을 비교분석하고 기존의 전류미러와 새로운 구성의 전류 미러를 설계하여 회로의 안정화를 꾀하였다. 높은 차동전압이득을 얻기 위하여 단일 증폭기의 bootstrap 이득증가기법을 이용하여 차종입력 회로를 구성하였으며, 회로의 안정도 및 우수한 주파수 특성을 얻기 위하여 common mode feedback을 사용하였다. Pspice를 통한 시뮬레이션 결과 설계된 회로의 이득이 18.6dB 향상되었고 안정도 및 주파수 특성면에서 우수함을 확인할 수 있었다.

기타언어초록

In the high speed analog system satellite communication system, video signal processing and optical fiber interface circuits, GaAs high gain operational amplifier is advantageous due to obtain a high gain because of its low transconductance and other drawbacks, such as low frequency dispersion and process variation. Therefore in this paper, a circuit techniques for improving the voltage gain for GaAs MESFET amplifier is presented. Also, various types of existing current mirror and current mirror proposed are compared.To obtain the high differential gain, bootstrap gain enhancement technique is used and common mode feedback is employed in differential amplifier.The simulation results show that gain is higher than that of basic amplifier about 18.6dB, and stability and frequency performance of differential amplifier are much improved.