- 펄스차이 흡착법김전압전류법에 의한 갈륨 정량
- ㆍ 저자명
- 손세철,엄태윤,Sohn. Se Chul,Eom. Tea Yoon
- ㆍ 간행물명
- 대한화학회지
- ㆍ 권/호정보
- 1992년|36권 6호|pp.889-893 (5 pages)
- ㆍ 발행정보
- 대한화학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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Ga-Morin 착물에 대한 흡착벗김전압전류법적 연구를 HMDE를 사용하여 0.1M 아세테이트 완충용액에서 연구하였다. HMDE의 수은 표면에 흡착된 착물의 환원피크 전류에 미치는 여러 분석조건들의 영향을 논의하였으며, 여러 양이온 및 계면활성제의 방해효과에 대하여 검토하였다. 본 연구에서의 검출한계는 흡착시간이 60초일 때 1.7nM 이었으며, 4 ${mu}$g/l의 Ga를 7회 분석하였을 때 상대표준편차 2.8% 이었다.
A very sensitive adsorptive stripping voltammetric method is studied on the gallium-morin complex at a hanging mercury drop electrode (HMDE) in 0.1 M acetate buffer solution. The effects of various analytical conditions are discussed on the reduction peak current of the adsorbed complex on the suface of HMDE. Interferences by other trace metals and surfactant are also discussed. Detection limit is 1.7 nM of gallium with 60 seconds deposition time, and the relative standard deviation (n = 7) at 4 ${mu}$g/l gallium is 2.8%