DC 마그테트톤 스퍼터링으로 GdFe 광자기기록용 박막을 복합타켓 배열방법에 따라 제작할때 각 원소의 증착속도의 차이로 인한 특성의 변화를 구하였다. 조성은 증착속도가 증가함에 따라 Gd atomic %가 줄어들며 1.0 ${AA}/s$ 이상의 증착속도에서는 다소 증가하였다가 감소하는 변화를 보였다. 투입전력에 따른 증착속도는 거의 선형적으로 증가하며, Gd chip의 수를 증가시킬수록 스퍼터링 효율이 높아지는 것으로 나타났다. 투입전력이 증가함에 따라 박막의 보자력도 증가하는데, 이는 Fe 결정립의 크기가 커짐에 따른 것으로 해석된다. 이 실험을 위하여 확산방지벽을 제작하여 스퍼터링에 적용하였고, 이는 재현성을 높이는데 효과가 있었다. Kerr angle gauge를 제작하여 ${ heta}_k$를 측정하였고 ${ heta}_k$는 증착속도에 따라 큰 변화가 없음을 알았다.
We have studied the variations of composition and magnetic properties with deposition rate in GdFe thin films by means of DC magnetron sputtering with the enhanced complex target method. Gd atomic percent was decreased with the increase of deposite rate. It appeared the transition phenomena at 1.0 ${AA}/s the deposition rate. Also, the deposition rate increased with input power and the sputtering efficience was proportional to the number of Gd chip. An increase of the coercivity with input power can be interpreted by the large size of Fe crystal grains. We have introduced by the diffusion guard sputtering and it was effective for reproducibility of the sample. We have measured ${ heta}_k$ with Kerr angle gauge, and could observe that the ${ heta}_k$ was little varied with input power.
