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플라즈마 화학 증착에서 증착압력에 따른 TiN 박막의 성장거동
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  • 플라즈마 화학 증착에서 증착압력에 따른 TiN 박막의 성장거동
  • The Study on the Behavior of TiN Thin Film Growth According to Deposition Pressure in PECVD Process
저자명
이종훈,남옥현,이인우,김문일,Lee. Z.H.,Nam. O.H.,Lee. I.W.,Kim. M.I.
간행물명
열처리공학회지
권/호정보
1992년|5권 2호|pp.95-102 (8 pages)
발행정보
한국열처리공학회
파일정보
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주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

In this study, we tried to describe the quantitative model of TiN film structure which was deposited by PECVD process. The macro-grain growth behavior was studied at the various deposition pressures and times. As a result, It was confirmed that TiN films had the typical Zone 1 structure, and macro-columnar grains were, without reference to the deposition pressure, grown ballistic type by the growth-death competition following the equation, $Y=aX^2$, approximately obtained by regression analysis. Also, the thickness and the crystallization of TiN thin films were increased, the chlorine contents were decreased according to the decreasing of deposition pressure.