영상 센서를 위한 비정질 실리콘 박막트랜지스터 (a-Si : HTFT)를 제작하고 그 동작 특성 을 조사하였다. 게이트 절연막으로는 비정질 실리콘 질화막(a-SiN : H)을 증착하였으며 소오스와 드레인 영역에서의 저항성 접합을 위해 $n^{+}$ 형 비정질 실리콘($n^{+}$-a-Si : H)을 증착하였다. 이 때 a-SiN : H막과 a-Si : H막의 두께는 각각 $2000{AA}$, $n^{+}$-a-Si : H막의 두께는 $500{AA}$이었다. 또한 a-Si : H TFT의 채널길이와 채널폭은 각각 $50{mu}m$와 $1000{mu}m$였다. 본 연구에서 제작한 a-Si : H TFT의 ON/OFF 전류비는 $10^{5}$, 문턱전압은 6.3 V 그리고 전계효과 이동도는 $0.15cm^{2}/V{cdot}s$로 나타났다.
a-Si : H TFTs for image sensor have been fabricated and their operational characteristics have been investigated. Hydrogenated amorphous silicon nitride(a-SiN : H) films were used for the gate insulator and $n^{+}$-a-Si : H films were depostied for the source and drain contact. The thicknesses of a-SiN : H and a-Si : H films were $2000{AA}$, respectively and the thickness of $n^{+}$-a-Si : H film was $500{AA}$. Also the channel length and channel width of a-Si : H TFTs were $50{mu}m$ and $1000{mu}m$, respectively. The ON/OFF current ratio, threshold voltage, and field effect mobility of fabricated a-Si : H TFTs were $10^{5}$, 6.3 V, and $0.15cm^{2}/V{cdot}s$, respectively.
