승화방법으로 광전도체의 CdS 단결정을 성장하였고 외삽법으로 구한 $a_{o}$와 $c_{o}$의 격자상수 값은 각각 $4.131{underline{8}}{AA}$과 $6.712{underline{2}}{AA}$임을 알았다. Hall 측정값으로 부터 상온에서의 CdS 단결정의 운반자 농도와 이동도는 각각${sim}10^{23}m^{-3}$ 과 $2.93{ imes}10^{-2}m^{2}$/V sec이였으며 온도에 따른 이동도 변화는 33 K에서 150 K까지는 $T^{1/2}$에 따라 증가하는 경향이 있고 180 K에서 상온까지는 $T^{-2}$에 따라 감소한 경향이 나타났다. 광전류 측정으로부터 나타난 단파장대의 봉우리는 진성전이에 기인하는 봉우리였으며 이 봉우리의 에너지 값은 CdS 광전도체에 에너지 밴드 갭과 동일한 값을 나타냄을 알았다.
A CdS single crystal was grown by using sublimation method. Lattice constants, $a_{o}$ and $c_{o}$, obtained by using extrapolation were $4.131{underline{8}}{AA}$ and $6.712{underline{2}}{AA}$, respectively. The carrier density was${sim}10^{23}m^{-3}$ and the mobility was $2.93{ imes}10^{-2}m^{2}$/V sec from measured Hall data at room temperature. The mobility has a increasing tendency in proportion to $T^{1/2}$ from 33 K to 150 K and a decreasing tendency in proportion to $T^{-2}$ from 180 K to room temperature. The short wavelength band peak measured from photocurrent was due to intrinsic transition, and the energy value of this peak was equal to the energy band gap of CdS photoconductor.
