본 연구에서는 dry oxide와 wet oxide로 MOS capacitor를 제작하여 avalanche 전자주입 실험으로 산화막의 캐리어 트랩핑특성을 조사하였다. dry oxide에서는 avalanche 전자주입 시 전자 trapping이 주도적으로 일어났다. wet oxide에서는 주입 초기에 전자 trapping이 주도적이다가 hole trapping이 주도적으로 바뀌게 되는 turn-around 현상이 일어났다. 주입시간이 길어지면 다시 전자 trapping이 주도적으로 되는 또 한번의 turn-around 현상이 일어났다. 산화막의 트랩 parameter를 결정하기 위해 실험결과를 기초로 하여 종류가 다른 여러 트랩을 가지는 계에 대한 캐리어 트랩핑 이론식을 세워서 실험결과와 curve-fitting한 결과 실험치와 잘 일치하는 곡선을 얻었다.